Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100178 
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Обсуждаются подходы к решению задачи создания эффективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов радио- и сверхвысоких частот (0.1-10 ГГц), которые могли бы использоваться в качестве активных элементов современных Si- и GaAs-радиационно стойких аналого-цифровых интегральных схем. Проведено сравнение радиационной стойкости перспективных "латеральных" Si-биполярных и "вертикальных" AlGaAs/GaAs-гетеробиполярных транзисторов с характерной толщиной базы 70-350 нм. Детально проанализированы особенности транспорта электронов в активной области транзисторов и оценено влияние эффекта всплеска скорости и диффузии квазибаллистических электронов на повышение радиационной стойкости транзисторов. Ключевые слова: биполярные и гетеробиполярные транзисторы, кремний-на-сапфире, транспорт электронов, моделирование, радиационная стойкость.
- Е.А. Ладыгин. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
- Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
- L. Ratti, V. Speziali. Proc IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems ( SiRF) (Atlanta, GA, USA, Sep. 18-20, 2006) p. 251
- I-Sh.M. Sun, W.T. Ng, H. Mochizuki, K. Kanekiyo, T. Kobayashi, M. Toita, H. Imai, A. Ishikawa, S. Tamura, K. Takasuka. Proc IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems ( SiRF) (San Diego, USA, Jan. 8-10, 2006) p. 50
- В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов, А.В. Скупов. Журн. радиоэлектроники, 17 (2), 10 (2014)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 52 (11), 1295 (2018)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 38 (1), 64 (2009)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 41 (4), 304 (2012)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, вып. 4, 5 (2012)
- В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов. Вестн. ННГУ. Сер. Радиофизика, вып. 2, 56 (2013)
- А.С. Пузанов. Вестн. ННГУ. Сер. Физика твердого тела, вып. 2, 88 (2014)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 49 (1), 71 (2015)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 50(12), 1706 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
