Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 10 » Статья стр. 1395
<<<>>>
Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48296.42
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100038
Андреев Б.А.1, Лобанов Д.Н.1, Красильникова Л.В.1, Бушуйкин П.А.1, Яблонский А.Н.1, Новиков А.В.1, Давыдов В.Ю.2, Юнин П.А.1, Калинников М.И.1, Скороходов Е.В.1, Красильник З.Ф.1,3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dima@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований спектров спонтанной фотолюминесценции и стимулированной эмиссии в эпитаксиальных слоях n-InN с концентрацией свободных электронов ~1019 см-3, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на сапфировых подложках с буферными слоями AlN и GaN. При росте InN в условиях обогащения азотом при повышении температуры роста до 470oC, близкой к началу разложения InN, наблюдалось улучшение кристаллического качества слоев и снижение порога возникновения стимулированного излучения. При переходе к условиям роста с обогащением металлом в спектрах спонтанной фотолюминесценции InN наблюдались две полосы эмиссии, разделенные интервалом в 100 мэВ. Для таких слоев отмечены значительное увеличение порога возникновения стимулированной эмиссии и в ряде случаев отсутствие перехода к ней. В работе приводится интерпретация наблюдаемых полос эмиссии и высказываются предположения об их природе. Ключевые слова: нитрид индия, молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесценция, стимулированное излучение.
  1. A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, V.V. Emtsev, A.V. Sakharov, V.A. Kapitonov, B.A. Andreev, H. Lu, W.J. Shaff. Phys. Rev. B, 71, 195207 (2005)
  2. J. Wu. J. Appl. Phys., 106, 011101 (2009)
  3. H. Lu, W.J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, G. Koley, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 79, 1489 (2001)
  4. S.M. Islam, V. Protasenko, S. Rouvimov, H. Xing, D. Jena. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 05FD12 (2016)
  5. Y.-H. Wang, W.-L. Chen. Physica E, 41, 848 (2009)
  6. X. Wang, S. Liu, N. Ma, L. Feng, G. Chen, F. Xu, N. Tang, S. Huang, K.J. Chen, S. Zhou, B. Shen. Appl. Phys. Express, 5, 015502 (2012)
  7. S. Zhao, O. Salehzadeh, S. Alagha, K.L. Kavanagh, S.P. Watkins, Z. Mi. Appl. Phys. Lett., 102, 073102 (2013)
  8. P.A. Bushuykin, B.A. Andreev, V.Yu. Davydov, D.N. Lobanov, D.I. Kuritsyn, A.N. Yablonskiy, N.S. Averkiev, G.M. Savchenko, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 123, 195701 (2018)
  9. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, V.V. Emtsev, D.A. Kurdyukov, S.V. Ivanov, V.A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmuuller, J. Aderhold, J. Graul, A.V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, E.E. Haller. Phys. Status Solidi B, 234, 787 (2002)
  10. G.-G. Wu, W.-C. Li, C.-S. Shen, F.-B. Gao, H.-W. Liang, H. Wang, L.-J. Song, G.-T. Du. Appl. Phys. Lett., 100, 103504 (2012)
  11. Y. Zhao, H. Wang, G. Wu, Q. Jing, H. Yang, F. Gao, W. Li, B. Zhang, G. Du. J. Luminesc., 173, 1 (2016)
  12. B.A. Andreev, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, D.N. Lobanov, P.A. Bushuykin, L.V. Krasilnikova, E.V. Skorokhodov, P.A. Yunin, A.V. Novikov, V.Yu. Davydov, Z.F. Krasilnik. Sci. Rep., 8 (1), 9454 (2018)
  13. B. Arnaudov, T. Paskova, P.P. Paskov, B. Magnusson, E. Valcheva, B. Monemar, H. Lu, W.J. Schaff, H. Amano, I. Akasaki. Phys. Rev. B, 69, 115216 (2004)
  14. M. Feneberg, J. Daubler, K. Thonke, R. Sauer, P. Schley, R. Goldhahn. Phys. Rev. B, 77, 245207 (2008)
  15. A. Mohanta, D.-J. Jang, M.-S. Wang, L.W. Tu. J. Appl. Phys., 115, 044906 (2014)
  16. M. Kuvcera, A. Adikimenakis, E. Dobrovcka, R. Kudela, M. vTapajna, A. Laurenvci kova, A. Georgakilas, J. Kuzmi k. Thin Sol. Films, 672, 114 (2019)
  17. A.P. Levanyuk, V.V. Osipov. Sov. Phys. Usp., 24, 187 (1981)
  18. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, A.V. Sakharov, A.N. Smirnov, V.V. Kozlovskii, C.-L. Wu, C.-H. Shen, S. Gwo. Phys. Status Solidi C, 4, 2589 (2007)
  19. J. Wu, W. Walukiewicz, S.X. Li, R. Armitage, J.C. Ho, E.R. Weber, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff, A. Barcz, R. Jakiela. Appl. Phys. Lett., 84 (15), 2805 (2004)
  20. L.F.J. Piper, T.D. Veal, C.F. McConville, H. Lu, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 88, 252109 (2006)
  21. C. Rauch, F. Tuomisto, P.D.C. King, T.D. Veal, H. Lu, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 101, 011903 (2012)
  22. X.M. Duan, C. Stampf. Phys. Rev. B, 79, 035207 (2009)
  23. X.M. Duan, C. Stampfl. Phys. Rev. B, 79, 174202 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme