Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование рекомбинационного процесса на границах кристаллитов в пленках CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) методом микроволновой фотопроводимости
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия 
2Department of Electronic Engineering and Green Technology Research Center, Chang-Gung University, 295 WenHwa 1st Road, Kweishan-Taoyuan 333, Taiwan, Republic of China
2Department of Electronic Engineering and Green Technology Research Center, Chang-Gung University, 295 WenHwa 1st Road, Kweishan-Taoyuan 333, Taiwan, Republic of China
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
Методом микроволновой фотопроводимости (36 ГГц) изучена кинетика гибели фотогенерированных носителей заряда в поликристаллических тонкопленочных халькопиритах CuIn1-xGaxSe2 (CIGS), синтезированных ампульным методом и несколькими модификациями метода вакуумного напыления с последующей селенизацией: методом магнетронного распыления мишени, методом термического напыления, модифицированным методом термического напыления с использованиеми интерметаллических прекурсоров. Фотопроводимость возбуждали излучением азотного лазера с длительностью импульса 8 нс и максимальной интенсивностью 4· 1014 фотон/см за импульс. Измерения выполнены в температурном диапазоне 148-293 K. Обнаружено, что амплитуда фотоотклика линейно зависела от размеров областей когерентного рассеяния в зернах пленок, рассчитанных из данных рентгеновской дифракции. Спады фотоотклика были гиперболическими. Время полуспада фотоотклика возрастало с понижением как температуры, так и интенсивности света. Показано, что процесс рекомбинации свободных дырок с захваченными электронами очень эффективен вблизи границ кристаллитов.
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
- K. Taretto, U. Rau. J. Appl. Phys., 103, 094523 (2008)
- M. Gloeckler, J.R. Sitesa, W.K. Metzger. J. Appl. Phys., 98, 113704 (2005)
- Г.Ф. Новиков, А.А. Маринин, Е.В. Рабенок. Приб. тех. эксп., N 2, 83 (2010)
- Г.Ф. Новиков, Б.И, Голованов. ЖНиПФ, 43 (1), 18 (1998)
- R.J. Deri, R.P. Spoonhower. J. Appl. Phys., 57 (8), 2806 (1985)
- N.G. Dhere. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95, 277 (2011)
- P. Luo, C.Zhu, G. Jiang. Solid State Commun., 146, 57 (2008)
- C.Y. Su, W.H. Ho, H.C. Lin, C.Y. Nieh, S.C. Liang. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95, 261 (2011)
- E.R. Baek, V. Astini, A. Tirta, B. Kim. Current Appl. Phys., 11 (1), S76 (2011)
- G.F. Novikov, E.V. Rabenok, M.J. Jeng, L.B. Chang. JRSE, 4 (1), 011604 (2012)
- K.W. Wagner. Arch. Elektrotech., 2 (9), 371 (1914); R.W. Sillars. J. Inst. Elect. Eng., 80, 378 (1937)
- Г.Ф. Новиков. ЖНиПФ, 42 (6), 3 (1997)
- Н.А. Радычев, Г.Ф. Новиков. Изв. АН, серия хим., N 5, 740 (2006)
- P. Chelvanathan, M.I. Hossain, N. Amin. Current Appl. Phys., 10, S387 (2010)
- S.B. Zhang, Su-Yuai Wei, Alex Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57 (16), 9642 (1998)
- H.J. Moeller. Semiconductor for Cells (Boston, Artech, 1993)
- J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
- К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
