Созданы фотодиоды на основе гетероструктуры InAs/InAs_0.88Sb_0.12/InAs_0.50Sb_0.20P_0.30 для спектрального диапазона 1-4.8 мкм, работающие при комнатной температуре. Показано, что при формировании на тыльной стороне фотодиодного чипа криволинейной отражающей поверхности, образованной множеством полусфер, наблюдается повышение квантовой чувствительности фотодиодов в 1.5-1.7 раза в интервале длин волн 2.2-4.8 мкм. При площади облучаемой поверхности фотодиода 0.9 мм² и площади p-n-перехода 0.15 мм² достигнуто дифференциальное сопротивление в нуле напряжения 30 Ом и квантовая чувствительность 0.24 электрон/фотон на длине волны 3 мкм. Проведено теоретическое рассмотрение работы фотодиода с переотражением потока фотонов в кристалле, возникающим в результате отражения от криволинейной поверхности тыльной стороны фотодиодного чипа. Показана возможность эффективного преобразования переотраженного потока фотонов в фототок при одновременном уменьшении площади p-n-перехода. Обнаружено увеличение квантовой чувствительности в коротковолновом интервале длин волн 1-2.2 мкм на 35% по сравнению с расчетными данными, обусловленное, вероятно, ударной ионизацией в узкозонной активной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.