Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100164 
РФФИ, 20-02-00324
РНФ, 17-12-01047
Климов А.Э.
1,2, Акимов А.Н.
1, Ахундов И.О.1, Голяшов В.А.
1,3, Горшков Д.В.
1, Ищенко Д.В.
1, Матюшенко Е.В.1, Неизвестный И.Г.
1,2, Сидоров Г.Ю.
1, Супрун С.П.
1, Тарасов А.С.
1, Терещенко О.Е.
1,3, Эпов В.С.
1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: klimov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
Исследованы характеристики МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей могут быть вызваны сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри в области примерно T ~ 15-20 K. Ключевые слова: твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, МДП-структура, сегнетоэлектрический фазовый переход.
- T. Liang, S. Kushwaha, J. Kim, Q. Gibson, J. Lin, N. Kioussis, R.J. Cava, N.P. Ong. Sci. Adv., 3, e1602510 (2017)
- Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172 (8), 875 (2002)
- Y. Tanaka, T. Sato, K. Nakayama, S. Souma, T. Takahashi, Z. Ren, M. Novak, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. B, 87, 155105 (2013)
- A.N. Akimov, D.V. Ishchenko, A.E. Klimov, I.G. Neizvestny, N.S. Paschin, V.N. Sherstyakova, V.N. Shumsky. Russ. Microelectron., 42 (2), 59 (2013)
- С.И. Новикова, Л.Е. Шелимова. ФТТ, 7 (8), 2544 (1965)
- С.И. Новикова, Л.Е. Шелимова. ФТТ, 9 (5), 1336 (1967)
- S. Nishi, H. Kawamura, K. Murase. Phys. Status Solidi B, 97, 581 (1980)
- K. Murase, S. Nishi. Phys. Narrow Gap Semicond., 152, 261 (1982)
- В.К. Дугаев, В.Л. Волков, В.И. Литвинов, К.Д. Товстюк. УФЖ, 24 (4), 538 (1979)
- Р.А. Насыббулин, Р.Х. Калимуллин, В.В. Шапкин, Ю.С. Харионовский, А.М. Джумиго, Э.В. Бурсиан. ФТТ, 23 (1), 300 (1981)
- Р.А. Насыббулин, Я.Н. Гиршберг, Н.Н. Трунов, Р.Х. Калимуллин, А.А. Кухарский, Ю.С. Харионовский, В.В. Шапкин, Э.В. Бурсиан. ФТТ, 25 (4), 784 (1983)
- A. Martinez, R.J. Abbundi, B. Houston, J.L. Davis, R.S. Allgaier. J. Appl. Phys., 57, 1165 (1985)
- В.С. Виноградов, И.В. Кучеренко. ФТТ, 33 (9), 2572 (1991)
- A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya. J. Alloys Compd., 203 (1-2), 51 (1994)
- A.E. Klimov, V.N. Shumsky. Optoelectron. Instrumentation and Date Processing, 3, 53 (2001)
- А.Н. Акимов, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов. ФТП, 50 (4), 447 (2016)
- A.E. Klimov, V.N. Shumsky. Physica B, 404 (23-24), 5028 (2009)
- O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2655 (1999)
- Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. Физ. ин-та им. П.Н. Лебедева, 177, 5 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
