Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO₂/Si (100) методом "горячей проволоки"

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49956.36

Переводная версия: 10.1134/S1063782620100309

Российский научный фонд, 18-72-10061

Сушков А.А.

¹, Павлов Д.А.

¹, Денисов С.А.

¹, Чалков В.Ю.

¹, Крюков Р.Н.

¹, Питиримова Е.А.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: sushkovartem@gmail.com, pavlov@unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru

Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.

Принята к печати: 21 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сформированы и исследованы слои Ge/Si на подложках Si/SiO₂/Si (100) при разных температурах роста. Слой Si выращен методом молекулярно-пучковой эпитаксии, а слой Ge получен методом "горячей проволоки". Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и дифракции ускоренных электронов на отражение. Перспектива создания подобных структур сводится к наращиванию на них высокого качества светоизлучающих структур, совместимых с кремниевыми радиационно стойкими интегральными микросхемами. В работе показана возможность роста монокристаллического слоя Ge на Si/SiO₂/Si (100) через буферный слой Si методом "горячей проволоки", а также продемонстрированы сложности, которые возникают в процессе роста Ge/Si слоев на Si/SiO₂/Si (100). Ключевые слова: гетероэпитаксия, просвечивающая электронная микроскопия, молекулярно-пучковая эпитаксия, метод "горячей проволоки", гетероструктура КНИ.

А.А. Сушков, Д.А. Павлов, В.Г. Шенгуров, C.А. Денисов, В.Ю. Чалков, Н.В. Байдусь, А.В. Рыков, Р.Н. Крюков. ФТП, 53 (9), 1271 (2019)
G.K. Celler, S. Cristoloveanu. J. Appl. Phys., 93 (9), 4955 (2003)
J.R. Schwank, V. Ferlet-Cavrois, M.R. Shaneyfelt, P. Paillet, P.E. Dodd. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 522 (2003)
M. Gaillardin, M. Raine, P. Paillet, M. Martinez, C. Marcandella, S. Girard, O. Duhamel, N. Richard, F. Andrieu, S. Barraud, O. Faynot. Radiation Effects in Advanced SOI Devices: New Insights into Total Ionizing Dose and Single-Event Effects. In: IEEE S3S (Monterey, CA, 2013) p. 1
P. Roche, J. Autran, G. Gasiot, D. Munteanu. Technology downscaling worsening radiation effects in bulk: SOI to the rescue. In: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (Washington, DC, 2013) p. 31.1.1
Yu.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Physics--Uspekhi, 51 (5), 437 (2008)
N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik. Crystals, 8 (8), 311 (2018)
V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik. Semiconductors, 51, 1527 (2017)
S.A. Denisov, S.A. Matveev, V.Yu. Chalkov, V.G. Shengurov. J. Phys.: Conf. Ser., 690, 012014 (2016)
Yu.N. Buzynin, V.G. Shengurov, B.N. Zvonkov, A.N. Buzynin, S.A. Denisov, N.V. Baidus, M.N. Drozdov, D.A. Pavlov, P.A. Yunin. AIP Advances, 7, 015304 (2017)
N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov. Opt. Express, 25, 16754 (2017)
S.A. Matveev, S.A. Denisov, D.V. Guseinov, V.N. Trushin, A.V. Nezhdanov, D.O. Filatov, V.G. Shengurov. J. Phys.: Conf. Ser, 541, 012026 (2014)
A. Gallagher. Thin Sol. Films, 395, 25 (2001)
В.А. Перевозчиков, В.Д. Скупов, В.Г. Шенгуров. Поверхность. Физика, химия, механика, 10, 154 (1991)
V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, Yu.N. Buzynin, M.N. Drozdov, A.N. Buzynin, P.A. Yunin. Techn. Phys. Lett., 41, 36 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель