Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Минский НИИ радиоматериалов, Минск, Республика Белоруссия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Минский НИИ радиоматериалов, Минск, Республика Белоруссия
Поступила в редакцию: 17 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.
Реализованы пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм с верхним (выводным) неплоским диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем. Предложенная конструкция обеспечивает стабильную одномодовую генерацию во всем диапазоне рабочих токов, ограниченном перегревом активной области. Приборы с внутрирезонаторными контактами и относительно большим диаметром токовой апертуры (5-6 мкм) демонстрируют пространственно-одномодовую лазерную генерацию на длине волны 840-845 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.2-1.3 мА, дифференциальной эффективностью 0.5-0.55 мВт/мА и выходной мощностью до 2 мВт.
- Vertical cavity surface emitting lasers, ed. by L.A. Coldren, H. Temkin, C.W. Wilmsen. (Cambridge Univ. Press, 1999)
- R. Szweda, III--Vs Review, 19, 34 (2006)
- B. Weigl , M. Grabherr, R. Michalzik, G.Reiner, K.J. Ebeling. IEEE Phot. Techn. Lett., 8, 971 (1996)
- D.H. Lim, S.M. Hwang, S.H. Nam. Proc. 14th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 2, 724 (2001)
- A. Haglund, J.S. Gustavsson, J. Vukusic , P. Modh, A. Larsson. IEEE Phot. Techn. Lett., 16, 368 (2004)
- A.M. Kasten, J.D. Sulkin, P.O. Leisher, D.K. McElfresh, D. Vacar, K.D. Choquette. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 14, 1123 (2008)
- S.-H. Park, Y. Park, H. Kim, H. Jeon, S.M. Hwang, J.W. Lee, S.H. Nam, B.C. Koh, J.Y. Sohn, D.S. Kim. Appl. Phys. Lett., 80, 183 (2002)
- S.A. Blokhin, J.A. Lott, N.N. Ledentsov, L.Ya. Karachinsky, A.G. Kuzmenkov, I.I. Novikov, N.A. Maleev, G. Fiol, D. Bimberg. Optoelectronic Materials and Devices VI, ed. by Guang-Hua Duan. Proc. SPIE-OSA-IEEE, 8308, 830 819 (2011)
- D. Sun, W. Fan, P. Kner, J. Boucart, T. Kageyama, R. Pathak, D. Zhang, W. Yuen. IEEE Phot. Techn. Lett., 15, 1677, (2003)
- Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.С. Шуленков, С.В. Чумак, Е.В. Никитина, С.А. Блохин, М.М. Кулагина, Е.С. Семенова, Д.А. Лившиц, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 39, 487 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
