Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций

Галиев Г.Б.¹, Пушкарев С.С.^1,2, Васильевский И.С.², Климов Е.А.¹, Имамов Р.М.³

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

³Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 11 сентября 2012 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера In_xAl_1-xAs за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур.

D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
D.-H. Kim, B. Brar, J.A. del Alamo. IEEE International Electron Devices Meeting(Washington DC, December 5--7, 2011) p. 13.6.1
M.-S. Son, B.-H. Lee, M.-R. Kim, S.-D. Kim, J.-K. Rhee. J. Korean Phys. Soc., 44(2), 408 (2004)
M. Isler. Sol. St. Electron, 46, 585 (2002)
G.H. Jessen, R.C. Fitch, J.K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D.J. Denninghoff, M. Trejo, E.R. Heller. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (10), 2589 (2007)
O. Yastrubchak, T. Wosinski, T. Figielski, E. Lusakowska, B. Pecz, A.L. Toth. Physica E, 17, 561 (2003)
J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 62 (7), 693 (1993)
F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
Y. Cordier, S. Bollaert, M. Zaknoune et al. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 1164 (1999)
S. Bollaert, Y. Cordier, M. Zaknoune et al. Sol. St. Electron., 44, 1021 (2000)
J.H. Kim, H.-S. Yoon, J.-H. Lee et al. Sol. St. Electron, 46, 69 (2002)
W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Torabi et al. J. Cryst. Growth, 251, 804 (2003)
K.S. Joo, S.H. Chun, J.Y. Lim et al. Physica E, 40, 2874 (2008)
H. Wang, T. Fan, J. Wu, Y. Zeng, J. Dong, M. Kong. J. Cryst. Growth, 186, 38 (1998)
Y.N. Picard, M.E. Twigg, J.D. Caldwell, C.R. Eddy jr., M.A. Mastro, R.T. Holm. Scripta Mater., 61, 773 (2009)
M.E. Twigg, Y.N. Picard, J.D. Caldwell, C.R. Eddy jr., M.A. Mastro, R.T. Holm, P.G. Neudeck, A.J. Trunek, J.A. Powell. J. Electron. Mater., 39, 743 (2010)
Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-M. Chauveau, D. Ferre, Y. Androussi, J. Di Persio, D. Vignaud, J.-L. Cordon, J. Cryst. Growth, 251, 822 (2003). 18Z.M. Wang, L. Daweritz, P. Schutzendube, K.H. Ploog. J. Vac. Sci. Technol. D, 18(4), 2204 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель