Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 9 » Статья стр. 766
<<<>>>
Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51292.22
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, 0030-2021-0019
Андреев Б.А.1, Лобанов Д.Н.1, Красильникова Л.В.1, Кудрявцев К.Е.1, Новиков А.В.1, Юнин П.А.1, Калинников М.А.1, Скороходов Е.В.1, Шалеев М.В.1, Красильник З.Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dima@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований свойств слоев InGaN c высоким содержанием InN (80-90%), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на сапфировых подложках с буферными слоями AlN/GaN. Формирование InGaN-слоев производилось методом модулирования потоков металлов (MME - metal modulated epitaxy), а также в азот- и металлобогащенных условиях. Обнаружено, что применение метода ММЕ приводит к снижению плотности прорастающих дислокаций в слоях InGaN. Тем не менее, несмотря на большую плотность дислокаций, наименьший порог стимулированного излучения ~20 кВт/см2 при 77 K был получен для слоя In0.8Ga0.2N, выращенного в азотобогащенных условиях, что связывается с наименьшей фоновой концентрацией электронов в этом образце (1.6·1019 см-3). Ключевые слова: нитрид индия и галлия, молекулярно-пучковая эпитаксия, дислокации, фотолюминесценция, стимулированное излучение.
  1. C.J. Humphreys. MRS Bull., 33, 459 (2008)
  2. Q. Guo, R. Kirste, S. Mita, J. Tweedie, P. Reddy, B. Moody, Y. Guan, S. Washiyama, A. Klump, Z. Sitar, R. Collazo. J. Appl. Phys., 126, 223101 (2019)
  3. Q. Zhou, M. Xu, H. Wang. Opto-Electron. Rev., 24 (1), 1 (2016)
  4. K.A. Bulashevich, A.V. Kulik, S.Y. Karpov. Phys. Status Solidi A, 212, 914 (2015)
  5. T. Frost, A. Banerjee, Kai Sun, S.L. Chuang, P. Bhattacharya. IEEE Quant. Electron., 49 (11), 923 (2013)
  6. P. Bhattacharya, A. Hazari, S. Jahangir. Proc. SPIE, 10553, 1055302 (2018). doi: 10.1117/12.2302548
  7. B.A. Andreev, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy1, D.N. Lobanov, P.A. Bushuykin, L.V. Krasilnikova, E.V. Skorokhodov, P.A. Yunin, A.V. Novikov, V.Yu. Davydov, Z.F. Krasilnik. Sci. Rep., 8, 9454 (2018). doi:10.1038/s41598-018-27911-2
  8. C. Adelmann, R. Langer, G. Feuillet, B. Daudin. Appl. Phys. Lett., 75, 3518 (1999)
  9. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 312, 735 (2010)
  10. H. Chen, R.M. Feenstra, J.E. Northrup, T. Zywrzet. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2284 (2000)
  11. M. Moseley, B. Gunning, J. Greenlee, J. Lowder, G. Namkoong, W.A. Doolittle. J. Appl. Phys., 112, 014909 (2012)
  12. H. Komaki, T. Nakamura, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, T. Ikari. J. Cryst. Growth, 301, 473 (2007)
  13. F.K. Yam, Z. Hassan. Superlat. Microstruct., 43 (1), 1 (2008)
  14. C.A. Chang, C.F. Shih, N.C. Chen, T.Y. Lin, K.-Sh. Liu. Appl. Phys. Lett., 85 (25), 6131 (2004)
  15. B.N. Pantha, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 93, 182107 (2008)
  16. E. Dimakis, E. Iliopoulos, K. Tsagaraki, A. Georgakilas. Appl. Phys. Lett., 86, 133104 (2005). doi: 10.1063/1.1891292
  17. Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова, П.А. Бушуйкин, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, В.Ю. Давыдов, П.А. Юнин, М.И. Калинников, Е.В. Скороходов, З.Ф. Красильник. ФТП, 53 (10), 1395 (2019)
  18. H. Ahmad, K. Motoki, E.A. Clinton, C.M. Matthews, Z. Engel, W. Alan Doolittle. ACS Appl. Mater. Interfaces, 12, 37693 (2020)
  19. Sh.D. Burnham, G. Namkoong, K.-K. Lee, W.A. Doolittle. J. Vac. Sci. Technol. B, 25 (3), 1009 (2007)
  20. Y.-Y. Wong, E.Y. Chang, Y.-H. Wu, M.K. Hudait, T.-H. Yang, J.-R. Chang, J.-T. Ku, W.-Ch. Chou, Ch.-Y. Chen, J.-Sh. Maa, Y.-Ch. Lin. Thin Sol. Films, 519, 6208 (2011)
  21. M. Moseley, B. Gunning, J. Greenlee. J. Appl. Phys., 112, 014909 (2012)
  22. M. Moseley, J. Lowder, D. Billingsley, W. Alan Doolittle. Appl. Phys. Lett., 97, 191902 (2010)
  23. K. Hestroffer, F. Wu, H. Li, C. Lund, S. Keller, J. Speck, U.K. Mishra. Semicond. Sci. Technol., 30, 105015 (2015)
  24. Q.M. Fu, T. Peng, C. Liu. J. Cryst. Growth, 311, 3553 (2009)
  25. D.V. Nechaev, P.A. Aseev, V.N. Jmerik, P.N. Brunkov, Y.V. Kuznetsova, A.A. Sitnikova, V.V. Ratnikov, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 378, 319 (2013)
  26. H. Hirayamaa, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi, N. Kamata. Appl. Phys. Lett., 91, 071901 (2007)
  27. J. Bai, M. Dudley, W.H. Sun, H.M. Wang, M. Asif Khan. Appl. Phys. Lett., 88, 051903 (2006)
  28. L.F.J. Piper, T.D. Veal, C.F. McConville, L. Hai, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 88, 252109 (2006)
  29. V. Lebedev, V. Cimalla, T. Baumann, O. Ambacher, F.M. Morales, J.G. Lozano, D. Gonzalez. J. Appl. Phys., 100, 094903 (2006)
  30. X. Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 90, 151901 (2007)
  31. Ch.S. Gallinat, G. Koblmuller, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 95, 022103 (2009)
  32. V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, V.V. Emtsev, D.A. Kurdyukov, S.V. Ivanov, V.A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmuller, J. Aderhold, J. Graul, A.V. Mudryi, H. Harina, A. Hashimoto, A. Yamamoto, E.E. Haller. Phys. Status Solidi B, 234 (3), 787 (2002)
  33. A.A. Klochikhin, V.Yu. Davydov, V.V. Emtsev, A.V. Sakharov, V.A. Kapitonov, B.A. Andreev, H. Lu, W.J. Schaff. Phys. Rev. B, 71, 195207 (2005)
  34. A. McAllister, D. Bayerl, E. Kioupakis. Appl. Phys. Lett., 112, 251108 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme