Вышедшие номера
Проявления процессов резонансного туннелирования и случайных флуктуаций потенциала с участием уровней квантовых точек в релаксации фототока p-i-n GaAs/AlAs-гетероструктур
Министерство науки и высшего образования РФ, Государственное задание , № 075-00355-21-00
Ханин Ю.Н.1, Вдовин Е.Е.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Московская область, Черноголовка
Email: vdov62@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 28 апреля 2021 г.
Принята к печати: 28 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

В результате изучения релаксации фототока в p-i-n GaAs/AlAs-гетероструктурах нами обнаружены резкие особенности, вызванные резонансным туннелированием через электронные уровни квантовых точек в барьерных слоях. Показано, что временные интервалы проявления этих резонансов на релаксационных кривых определяются динамикой накопления заряда на дырочных уровнях квантовых точек и рекомбинацией с их участием. Также обнаружены сильные случайные флуктуации фототока в пострезонансной области, обусловленные локальными флуктуациями остаточного заряда на дырочных уровнях квантовых точек. Изучение релаксации в средне- и длинноволновом световом диапазонах подтверждает нашу интерпретацию обнаруженных эффектов. Ключевые слова: гетероструктуры, фотопропроводимость, квантовые точки.