Вышедшие номера
Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
Хвостиков В.П. 1, Сорокина С.В. 1, Хвостикова О.А. 1, Нахимович М.В.1, Шварц М.З. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru, svsorokina@mail.ioffe.ru, khvol@mail.ru, NMar@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2021 г.
Принята к печати: 8 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Исследовались термофотоэлектрические преобразователи на основе GaSb под излучением селективного Y2O3-эмиттера мантийного типа, покрытого оксидами редкоземельных элементов Er2O3/Yb2O3. Согласование спектральной чувствительности преобразователей с пиковой длиной волны излучения эмиттера λ=1540 нм обеспечивает эффективность термофотоэлектрического преобразования >26% (0.4 Вт). Ключевые слова: термофотоэлектрический преобразователь, GaSb, селективный эмиттер, диффузия.