Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51564.9670

Российский научный фонд, 20-79-10285

Бабичев А.В¹, Колодезный Е.С¹, Гладышев А.Г¹, Денисов Д.В², Вознюк Г.В³, Митрофанов М.И³, Михайлов Д.А³, Чистяков Д.В³, Курицын Д.И⁴, Дюделев В.В³, Слипченко С.О³, Лютецкий А.В³, Евтихиев В.П³, Карачинский Л.Я^1,3,5, Новиков И.И^1,3,5, Морозов С.В⁴, Соколовский Г.С³, Пихтин Н.А³, Егоров А.Ю¹

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

⁵ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия Connector Optics LLC, St. Petersburg, Russia

Email: a.babichev@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 19 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 27 апреля 2021 г.

Принята к печати: 27 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований кольцевых квантово-каскадных лазеров с выводом излучения через текстурированный слой, сформированный в слоях верхней обкладки волновода методом сверхвысоковакуумного ионно-лучевого травления. Исследование распределения интенсивности излучения в зоне дальнего поля показывает, что сформированные окна, содержащие текстурированный слой, позволили осуществить направленный поверхностный вывод излучения из кольцевого лазера. Вывод излучения осуществляется в диапазоне углов ~(63-75)^o, отсчитанных от нормали к плоскости резонатора. Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия, кольцевой резонатор, текстурированный слой.

R. Szedlak, T. Hisch, B. Schwarz, M. Holzbauer, D. MacFarland, T. Zederbauer, H. Detz, A.M. Andrews, W. Schrenk, S. Rotter, G. Strasser. Sci. Rep., 8 (1), 7998 (2018)
B. Hinkov, J. Hayden, R. Szedlak, P. Martin-Mateos, B. Jerez, P. Acedo, G. Strasser, B. Lendl. Opt. Express, 27 (10), 14716 (2019)
H. Knotig, B. Hinkov, R. Weih, S. Hofling, J. Koeth, G. Strasser. Appl. Phys. Lett., 116 (13), 131101 (2020)
D.H. Wu, M. Razeghi. APL Mater., 5 (3), 035505 (2017)
Y. Bai, S. Tsao, N. Bandyopadhyay, S. Slivken, Q.Y. Lu, D. Caffey, M. Pushkarsky, T. Day, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 99 (26), 261104 (2011)
E. Mujagic, L.K. Hoffmann, S. Schartner, M. Nobile, H. Detz, D. Andrijasevic, M. Austerer, W. Schrenk, A.M. Andrews, P. Klang, M.P. Semtisiv, W.T. Masselink, G. Strasser. Proc. SPIE, 7230, 723015 (2009). doi: 10.1117/12.808466
A.O. Dirisu, G. Silva, Z. Liu, C.F. Gmachl, F.J. Towner, J. Bruno, D.L. Sivco. IEEE Photon. Technol. Lett., 19 (4), 221 (2007)
B. Paivanranta, T. Saastamoinen, M. Kuittinen. Nanotechnology, 20 (37), 375301 (2009)
A. Deinega, I. Valuev, B. Potapkin, Y. Lozovik. J. Opt. Soc. Am. A, 28 (5), 770 (2011)
J.A. Dobrowolski, D. Poitras, P. Ma, H. Vakil, M. Acree. Appl. Optics, 38 (16), 3075 (2002)
A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bougrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Bousseksou, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 52 (8), 1082 (2018)
A.V. Babichev, V.V. Dudelev, A.G. Gladyshev, D.A. Mikhailov, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, V.E. Bougrov, V.N. Nevedomskiy, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 45 (7), 735 (2019)
A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.C. Kolodeznyi, A.V. Filimonov, A.A. Usikova, V.N. Nevedomsky, A.G. Gladyshev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 52 (6), 745 (2018)
A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.S. Kurochkin, V.V. Dudelev, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Techn. Phys. Lett., 45 (4), 398 (2019)
V.V. Dudelev, D.A. Mikhailov, A.V. Babichev, A.D. Andreev, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, Yu.K. Bobretsova, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kuchinskii, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii. Quant. Electron., 50 (2), 141 (2020)
A.V. Babichev, D.A. Pashnev, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, G.V. Voznyuk, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, M.I. Mitrofanov, V.P. Evtikhiev, D.A. Firsov, L.E. Vorob'ev, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Techn. Phys. Lett., 46 (4), 312 (2020)
A.V. Babichev, E.S. Kolodeznyi, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, G.V. Voznyuk, D.I. Kuritsyn, M.I. Mitrofanov, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, V.P. Evtikhiev, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, N.A. Pikhtin, S.V. Morozov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 54 (14), 1816 (2020)
Y. Bai, S. Slivken, S. Kuboya, S.R. Darvish, M. Razeghi. Nature Photonics, 4 (2), 99 (2010)
A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, L. Boulley, A. Bousseksou, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Opt. Spectrosc., 127 (2), 279 (2019)
A.V. Babichev, E.S. Kolodeznyi, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, G.V. Voznyuk, M.I. Mitrofanov, N.Yu. Kharin, V.Yu. Panevin, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, V.P. Evtikhiev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 55 (7), 822 (2021). А.В. Бабичев, Е.С. Колодезный, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, Г.В. Вознюк, М.И. Митрофанов, Н.Ю. Харин, В.Ю. Паневин, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, В.П. Евтихиев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Н.А. Пихтин, А.Ю. Егоров. ФТП, 55 (7), 602 (2021).
A.V. Babichev, D.A. Pashnev, A.G. Gladyshev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, L.Yа. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, V.V. Dudelev, G.S. Sokolovskii, D.A. Firsov, L.E. Vorob'ev, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov. Opt. Spectrosc., 128 (8), 1187 (2020)
J. Faist, C. Gmachl, M. Striccoli, C. Sirtori, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 69 (17), 2456 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель