Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Малевская А.В.
1, Ильинская Н.Д.
1, Калюжный Н.А.
1, Малевский Д.А.
1, Задиранов Ю.М.
1, Покровский П.В.
1, Блохин А.А.
1, Андреева А.В.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, Natalya.Ilynskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, P.Pokrovskiy@mail.ioffe.ru, bloalex91@yandex.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 31 мая 2021 г.
Принята к печати: 31 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.
Проведены исследования методов текстурирования световыводящей поверхности ИК-светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с брегговскими отражателями. Разработаны методы жидкостного и плазмохимического травления твердого раствора для создания пиков (пирамид) различной формы высотой 0.2-1.5 мкм. Проведена оценка влияния методов текстурирования, а также конфигурации пиков на интенсивность электролюминесценции светодиодов. Достигнуто увеличение интенсивности электролюминесценции на 25%. Ключевые слова: светодиод, текстурирование, методы травления, электролюминесценция.
- Y. Qin, X. Guo, W.J. Jiang, R. Fang, G.Di Shen. Proc. SPIE-OSA-IEEE Asia Communication and Photonics (Shanghai, China, 2009) v. 7635, p. 763505-1
- E.F. Shubert. Light-emitting diodes (Rensselaer Polyt. Inst., N.Y., USA, 2018) ed. 3, p. 660
- R. Windisch, B. Dutta, M. Kuijk, A. Knobloch, S. Meinlschmidt, S. Schoberth, P. Kiesel, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE Trans. Electron Dev., 47 (7), 1492 (2000)
- Патент RU25054867, 20.07.2013
- I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63, 2174 (1993)
- J. Rybczynski, U. Ebels, M. Giersig. Colloids Surf. A: Physicochem. Eng. Aspects, 219, 1 (2003)
- R. Windisch, S. Schoberth, S. Meinlschmidt, P. Kiesel, A. Knobloch, P. Heremans, B. Dutta, G. Borghs, G.H. Dohler. J. Opt. A: Pure Appl. Opt., 1, 512 (1999)
- V.M. Lantratov, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts. Adv. Sci. Techn., 74, 225 (2010)
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, В.М. Андреев. ФТП, 55 (7), 614 (2021)
- F.F. Chen, J.P. Chang. Lecture Notes on Principles of Plasma Processing (N.Y., Kluwer/Plenum, 2002) p. 249
- Н.Н. Berger. Solid State Electron., 15, 145 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
