Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51566.9688

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.13.53907.9688

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 20-08-00986 А

Потапович Н.С.

¹, Нахимович М.В.¹, Хвостиков В.П.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: nspotapovich@mail.ioffe.ru, vlkhv@scell.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 26 мая 2021 г.

В окончательной редакции: 8 июня 2021 г.

Принята к печати: 8 июня 2021 г.

Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основании проведенных исследований разработаны и созданы фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения (длины волн λ~1.0-1.3 мкм) на основе гетероструктур InGaAsP/InP с эпитаксиальным p-n-переходом. Определены технологические режимы, позволяющие получать методом жидкофазной эпитаксии высококачественные слои четверных твердых растворов InGaAsP, изопериодных подложкам фосфида индия в широком диапазоне составов. Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, узкополосное излучение, InGaAsP, InP, гетероструктуры, жидкофазная эпитаксия.

В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, Р.В. Левин, А.E. Маричев, Н.Х. Тимошина, Б.В. Пушный. ФТП, 52 (13), 1641 (2018). DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46880.8926
А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Ильинская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 48 (12), 1693 (2014)
А.С. Власов, В.П. Хвостиков, Л.Б. Карлина, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, М.З. Шварц, Н.Х. Тимошина, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, Е.П. Марухина, В.М. Андреев. ЖТФ, 83 (7), 106 (2013)
Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, ed. by A. Luque and S. Hegedus (John Wiley \& Sons, Ltd., 2003) сhар. 4
В.М. Емельянов, С.А. Минтаиров, С.В. Сорокина, В.П. Хвостиков, М.З. Шварц. ФТП, 50 (1), 125 (2016)
A.R. Clawson. Mater. Sci. Engin., 31, 1 (2001). https://doi.org/10.1016/S0927-796X(00)00027-9
С.А. Тарасов. Автореф. дис. докт. техн. наук (СПб., ЛЭТИ, 2016). https://etu.ru/assets/files/nauka/dissertacii/2016/ Tarasov/Doktorskaya-Tarasov-v7-23-2.pdf
G.J. van Gurp, D.L.A. Tjaden, G.M. Fontijn, P.R. Boudewijn. J. Appl. Phys., 64 (7), 3468 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель