Многосекционные термоэлементы, преимущества и проблемы их создания
Grant of the President of the Russian Federation, 075-15-2020-441
Штерн М.Ю.
11Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: m.y.shtern@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2021 г.
Принята к печати: 28 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
Рассмотрены пути повышения эффективности термоэлектрических генераторов. Наряду с повышением добротности термоэлектрических материалов это увеличение разности температур между горячими и холодными спаями термоэлементов и, соответственно, интервала их рабочих температур. Обоснована целесообразность использования термоэлементов с многосекционными ветвями. Для их создания предложены эффективные термоэлектрические материалы с рабочими температурами из интервала 300-1200 K. Разработана методика моделирования таких термоэлементов. Предложены структуры и материалы эффективных контактных систем для многосекционных термоэлементов, разработана технология их изготовления. Рассмотрены способы коммутации секций в ветвях термоэлемента. Исследовано тепловое расширение термоэлектрических материалов и предложен способ демпфирования термических напряжений в конструкции термоэлемента. Решена проблема сублимации термоэлектрического материала при высоких температурах за счет использования защитных покрытий. Ключевые слова: термоэлектрические генераторы, многосекционные термоэлементы, термоэлектрические материалы, тепло- и электрофизические свойства, контактные системы, защитные покрытия.
- D. Zhao, G. Tan. Appl. Therm. Eng., 66, 15 (2014)
- M. Shtern, M. Rogachev, Y. Shtern, A. Kozlov, A. Sherchenkov, E. Korchagin. In: Proc. 2021 Int. Seminar on Electron Devices Design and Production (Prague, Czech Republic, 2021) p. 9444502
- A. Martinez, S. Diaz de Garayo, P. Aranguren, M. Araiz. Energy Con-vers. Manag., 2351, 113992 (2021)
- Z. Soleimani, S. Zoras, B. Ceranic, S. Shahzad, Y. Cui. Energy Technol. Assess, 37, 100604 (2020)
- N. Jaziri, A. Boughamoura, J. Muller, B. Mezghani, F. Tounsi, M. Ismail. Energy Rep., 6, 264 (2020)
- Y. Ouyang, Z. Zhang, D. Li, J. Chen, G. Zhang. Annalen der Physik, 531 (4), 1800437 (2019)
- M. Shtern, M. Rogachev, Y. Shtern, A. Sherchenkov, A. Babich, E. Korchagin, D. Nikulin. J. Alloys Compd., 877, 160328 (2021)
- А.А. Шерченков, Ю.И. Штерн, Р.Е. Миронов, М.Ю. Штерн, М.С. Рогачев. Рос. нанотехнологии, 10 (11-12), 22 (2015)
- E. Symeou, Ch. Nicolaou, A. Delimitis, J. Androulakis, Th. Kyratsi, J. Giapintzakis. J. Solid State Chem., 270, 388 (2019)
- P. Dharmaiah, H.-S. Kim, C.-H. Lee, S.-J. Hong. J. Alloys Compd., 686, 1 (2016)
- W.H. Shin, K. Ahn, M. Jeong, J.S. Yoon, J.M. Song, S. Lee, W.S. Seo, Y.S. Lim. J. Alloys Compd., 718, 342 (2017)
- V. Ohorodniichuk, S. El-Oualid, A. Dauscher, C. Candolfi, P. Masschelein, S. Migot, P. Dalicieux, P. Baranek, B. Lenoir. J. Mater. Sci., 55, 1092 (2020)
- А.Т. Бурков, С.В. Новиков, Х. Танг, Я. Ян. ФТП, 51 (8), 1068 (2017)
- T. Zhu, Y. Liu, C. Fu, J.P. Heremans, J.G. Snyder, X. Zhao. Adv. Mater., 29, 1605884 (2017)
- А.А. Шерченков, Ю.И. Штерн, М.Ю. Штерн, М.С. Рогачев. Рос. нанотехнологии, 11 (7-8), 13 (2016)
- G. Tan, L.-D. Zhao, M.G. Kanatzidis. Chem. Rev., 116, 12123 (2016)
- M.Yu. Shtern, M.S. Rogachev, A.A. Sherchenkov, YuI. Shtern. Mater. Today: Proceedings, 84, 295 (2020)
- S. Twaha, J. Zhu, Y. Yan, B. Li. Renew. Sustain. Energy Rev., 65, 698 (2016)
- M.Yu. Shtern, I.S. Karavaev, Y.I. Shtern, A.O. Kozlov, M.S. Rogachev. Semiconductors, 53, 1848 (2019)
- C.L. Cramer, H. Wang, K. Ma. J. Electron. Mater., 47, 5122 (2018)
- P.H. Ngan, L. Han, D.V. Christensen. J. Electron. Mater., 47, 701 (2018)
- L. Cai, P. Li, Q. Luo, P. Zhai, Q. Zhang. J. Electron. Mater., 46, 1552 (2017)
- M. Shtern, M. Rogachev, Y. Shtern, D. Gromov, A. Kozlov, I. Karavaev. J. Alloys Compd., 852, 156889 (2021)
- S.-W. Chen, A.H. Chu, D.S.-H. Wong. J. Alloys Compd., 699, 448 (2017)
- H.-Y. Zhou, W.-Y. Zhao, G. Liu, H. Cheng, Q.-J. Zhang. J. Electron. Mater., 42, 1436 (2013)
- X.Y. Yang, J.H. Wu, M. Gub, X.G. Xia, L.D. Chen. Ceram. Int., 42, 8044 (2016).
- Д.Г. Громов, Ю.И. Штерн, М.С. Рогачев, А.С. Шулятьев, Е.П. Кириленко, М.Ю. Штерн, В.А. Федоров, М.С. Михайлова. Неорг. матер., 52 (11), 1206 (2016)
- J. de Boor, C. Gloanec, H. Kolb, R. Sottong, P. Ziolkowsk, E. Mul-ler. J. Alloys Compd., 632, 348 (2015)
- J. De Boor, D. Droste, C. Schneider, J. Janek, E. Mueller. J. Electron. Mater., 45, 5313 (2016)
- T. Sakamoto, Y. Taguchi, T. Kutsuwa, K. Ichimi, S. Kasatani, M. Inada. J. Electron. Mater., 45, 1321 (2016)
- S.H. Park, Y. Kim, C.Y. Yoo, G. Yoon. J. Vac. Sci. Technol. A, 34, 061101 (2016)
- Y. Sadia, T. Ohaion-Raz, O. Ben-Yehuda, M. Korngold, Y. Gelbstein. J. Solid State Chem., 241, 79 (2016)
- M.Yu. Shtern. In: Proc. 2019 IEEE Conf. of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (Moscow, Russia, 2019) p. 1920
- Yu. Stern, L. Pavlova, R. Mironov. J. Electron. Mater., 39 (9), 1422 (2010)
- Z.-G. Chen, G. Han, L. Yang, L. Cheng, J. Zou. Progr. Nat. Sci., 22, 535 (2012)
- Технология толстых и тонких пленок, под ред. А. Рейсмана, К. Роуза (М.: Мир, 1972). [Пер. с англ.: Thick and thin films for electronic applications, ed. by A. Reisman, K. Rose (N.Y., Wiley, 1971)]
- S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Wiley, 2007)
- E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor Contacts (Oxford, University Press, 1988)
- R. Yang, S. Chen, W. Fan, X. Gao, Y. Long, W. Wang, Z.A. Munir. J. Alloys Compd., 704, 545 (2017)
- С.И. Новикова. Тепловое расширение твердых тел (М., Наука, 1974)
- S. Yoneda, M. Kato, I.J. Ohsugi. J. Appl. Phys., 107, 074901 (2010)
- Y. Hikage, S. Masutani, T. Sato, S. Yoneda, Y. Ohno, Y. Isoda, Y. Imai, Y. Shinohara. In: Proc. 26th Int. Conf. on Thermoelectrics (Jeju, Korea, 2007) p. 331
- H. Wiedemeir, P.A. Siemers. J. Inor. and General Chem., 431, 299 (1977)
- А.С. Охотин, А.А. Ефремов, В.С. Охотин, А.С. Пушкарский. Термоэлектрические генераторы (М., Атомиздат, 1971)
- V. Ravi, S. Firdosy, T. Caillat, E. Brandon, K. Van Der Walde, L. Maricic, A. Sayir. J. Electron. Mater., 38, 1433 (2009)
- J.P. Dismukes, L. Ekstrom, R.J. Paff. J. Phys. Chem., 68, 3021 (1964)
- В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.З. Куцова, А.Р. Регель, Ю.Н. Таран, Г.Г. Тимошина, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич. ФТП, 25 (4), 588 (1991)
- Пат. N 2601243. Способ получения термоэлектрического элемента. Ю.И. Штерн, Д.Г. Громов, М.С. Рогачев, М.Ю. Штерн, С.В. Дубков.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.