Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Математическое моделирование кинетики высокотемпературного окисления кремния и структуры пограничного слоя в системе Si--SiO₂

Красников Г.Я.¹, Зайцев Н.А.¹, Матюшкин И.В.¹

¹НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН", Зеленоград, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 27 марта 2002 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены возможные структурные комплексы, образующиеся при высокотемпературном термическом окислении кремния в пограничном слое в системе Si-SiO₂. На основании концепции пограничного слоя предложена математическая модель кинетики полимеризации кремний-кислородных кластеров. Отмечено влияние диффузионного потока этих кластеров на процентное содержание цепочек SiO₄-тетраэдров разной длины в объеме SiO₂.

Н.А. Зайцев, И.О. Шурчков. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si--SiO₂ (М., Радио и связь, 1993) с. 193
H Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa. Phys. Rev. Lett., 80, 345 (2000)
M. Suemitsi, Y. Enta, Y. Takegawa, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 77, 3179 (2000)
N. Kwok-On, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 59, 10 132 (1999)
D.-A. Luh, T. Miller, T.-C. Chang. Phys. Rev. Lett., 79, 3014 (1997)
J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
H. Nishikawa, R. Tohmon, Y. Ohki, K. Nagasawa, Y. Hama. J. Appl. Phys., 65, 4672 (1989)
P.J. Grunthaner, M. Hecht, F.J. Crunthaner, N. Johnson. J. Appl. Phys., 61, 629 (1987)
G. Hollinger, F. Himpsel. Appl. Phys. Lett., 44, 93 (1984)
F. Himpsel, F. McFeely, A. Taleb-Ibraimi, J. Yarmoff, G. Hollinger. Phys. Rev. B, 38, 6084 (1988)
S. Iwata, A. Ishizaka. J. Appl. Phys., 79, 6653 (1996)
A. Pasquarello, M. Hybertsen, R. Car. Phys. Rev. Lett., 74, 1024 (1995)
N. Miyata, H. Watanabe, M. Ichikawa. Phys. Rev. Lett., 84, 1043 (2000)
R. Tromp, G. Rubloff, P. Balk, F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 55, 2332 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель