Шумовые характеристики кремниевых p-n-структур с тонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов
Барановский О.К.1, Кучинский П.В.2, Савенок Е.Д.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Исследован характер изменения спектральной плотности шума и времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых p-n-структурах с тонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов. Показано, что изменение частотных свойств шума p-n-структур при термическом отжиге связано с восстановлением поверхностных состояний. Предложено качественное объяснение самоограничения лавинного процесса в структурах с тонкой областью умножения.
- О.К. Барановский, П.В. Кучинский, В.М. Лутковский, А.П. Петрунин, Е.Д. Савенок. ФТП, 35, 352 (2001)
- Дж. Бендат, А. Пирсол. Прикладной анализ случайных данных (М., Мир, 1989)
- S.M. Krakauer. Proc. IEEE, 50, 7, 1665 (1962)
- П.В. Кучинский. Автореф. канд. дис. (Минск, БГУ, 1984)
- В.И. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, 1055 (1986)
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
- З.Я. Садыгов, М.К. Сулейманов, Т.Ю. Бокова. Письма ЖТФ. 26 (7), 75 (2000)
- Б.И. Дацко. ФТП, 31, 186 (1997)
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
