Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние условий осаждения из паров металлоорганических соединений на получение эпитаксиальных слоев n-CdTe с использованием изопропилиодида

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52123.9767

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.03.53068.9767

Моисеев А.Н. ¹, Евстигнеев В.С.

¹, Чилясов А.В.¹, Костюнин М.В.¹

¹Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: moiseev@ihps-nnov.ru, evstigneev@ihps-nnov.ru, chil@ihps-nnov.ru

Поступила в редакцию: 12 ноября 2021 г.

В окончательной редакции: 15 ноября 2021 г.

Принята к печати: 15 ноября 2021 г.

Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано вхождение иода из изопропилиодида в слои CdTe в процессе металлоорганической парофазной эпитаксии в зависимости от условий осаждения. Рост слоев вели из паров диметилкадмия (ДМК) и диэтилтеллура (ДЭТ) в потоке водорода в вертикальном реакторе с зоной предварительного распада при общем давлении 20 кПа. Общую концентрацию иода определяли методом вторичной ионной масс-спектрометрии, электрически активную концентрацию - из измерения эффекта Холла. Вхождение иода зависит от кристаллографической ориентации подложки (изучены (100), (310), (111)А, (111)В, (211)А и (211)В), концентрации легирующего прекурсора (интервал потоков 5·10^-8-3·10^-6 моль/мин), соотношения металлоорганических соединений (ДМК/ДЭТ = 0.25-4), температуры роста (335-390^oC) и стенок реактора выше пьедестала (зона прекрекинга 290-320^oС). Общая концентрация иода достигала 5·10¹⁸ см^-3, а степень его активации ~4%. После последующего термического отжига в парах кадмия при 500^oC степень активации повышалась до ~100%. Ключевые слова: эпитаксиальные слои, металлоорганическая парофазная эпитаксия, CdTe, легирование иодом, изопропилиодид, термический отжиг.

C. Szeles. Phys. Status Solidi B, 241 (3), 783 (2004)
J.M. Burst, J.N. Duenow, D.S. Albin, E. Colegrove, M.O. Reese, J.A. Aguiar, C.-S. Jiang, M.K. Patel, M.M. Al-Jassim, D. Kuciauskas, S. Swain, T. Ablekim, K.G. Lynn, W.K. Metzger. Nature Energy, 1 (3), 1 (2016)
В.С. Евстигнеев, А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, М.В. Костюнин. Неорг. матер., 55 (10), 1040 (2019)
В.С. Евстигнеев, В.С. Варавин, А.В. Чилясов, В.Г. Ремесник, А.Н. Моисеев, Б.С. Степанов. ФТП, 52 (6), 554 (2018)
R. Sporken, S. Sivananthan, K.K. Mahavadi, G. Monfroy, M. Boukerche, J.P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 55 (18), 1879 (1989)
C.D. Maxey, J.P. Camplin, I.T. Guilfoy, J. Gardner, R.A. Lockett, C.L. Jones, P. Capper, M. Houlton, N.T. Gordon. J. Electron. Mater., 32 (7), 656 (2003)
А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, В.С. Евстигнеев, Б.С. Степанов, М.Н. Дроздов. Неорг. матер., 52 (12), 1284 (2016)
V.S. Evstigneev, A.V. Chilyasov, A.N. Moiseev, M.V. Kostunin. TSF, 689, 137514 (2019)
K. Yasuda, Y. Tomita, Y. Masuda, T. Ishiguro, Y. Kawauchi, H. Morishita, Y. Agata. J. Electron. Mater., 31 (7), 785 (2002)
M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, Y. Higashira, R. Tamura, B.S. Chaudhari, T. Kobayashi, H. Goto, S. Fujii Y. Agata. J. Electron. Mater., 49 (11), 6996 (2020)
P.Y. Su, R. Dahal, G.C. Wang, S. Zhang, T.M. Lu, I.B. Bhat. J. Electron. Mater., 44 (9), 3118 (2015)
S. Murakami, T. Okamoto, K. Maruyama, H. Takigawa. Appl. Phys. Lett., 63 (7), 899 (1993)
M. Niraula, T. Aoki, Y. Nakanishi, Y. Hatanaka. J. Cryst. Growth, 200 (1), 90 (1999)
D. Brun-Le-Cunff, T. Baron, B. Daudin, S. Tatarenko, B. Blanchard. Appl. Phys. Lett., 67 (7), 965 (1995)
N.C. Giles, J. Lee, D. Rajavel, C.J. Summers. J. Appl. Phys., 73 (9), 4541 (1993)
R. Bhat, C. Caneau, C.E. Zah, M.A. Koza, W.A. Bonner, D.M. Hwang, S.A. Schwarz, S.G. Menocal, F.G. Favire. J. Cryst. Growth, 107, 772 (1991)
M. Kondo, C. Anayama, T. Tanahashi, S. Yamazaki. J. Cryst. Growth, 124, 449 (1992)
В.С. Евстигнеев, А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, С.В. Морозов, Д.И. Курицын. ФТП, 55 (1), 9 (2021)
G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 75 (1), 91 (1986)
D.V. Forbes, J.J. Coleman. MRS Online Proceedings Library (OPL), 340, 289 (1994)
S. Seto, A. Tanaka, Y. Masa, M. Kawashima. J. Cryst. Growth, 117, 271 (1992)
Y. Marfaing. TSF, 387, 123 (2001)
J.E. Hails, D.J. Cole-Hamilton, W. Bell. J. Cryst. Growth, 145, 596 (1994)
J.B. Mullin, S.J.C. Irvine, D.J. Ashen. J. Cryst. Growth, 55, 92 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель