Бабичев А.В.
1, Колодезный Е.С.
1, Гладышев А.Г.
1, Денисов Д.В.2, Jollivet A.3, Quach P.3, Карачинский Л.Я.1,4,5, Неведомский В.Н.4, Новиков И.И.
1,4,5, Tchernycheva M.
3, Julien F.H.3, Егоров А.Ю.
5
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), UMR CNRS, Universite Paris-Saclay, Palaiseau, France
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 29 октября 2021 г.
Принята к печати: 29 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.
Предложена конструкция и реализована методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц. Для оптимизации толщин слоев периодов гетероструктуры использовался численный метод итерационного решения уравнения Шредингера-Пуассона в k· p формализме. Выращенная гетероструктура квантово-каскадного детектора показала высокое структурное совершенство, подтвержденное малыми значениями средней ширины на половине высоты пиков-сателлитов высоких порядков на рентгенодифракционных кривых качания, которые составили (8.3±0.5)''. Анализ темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показал, что суммарная толщина слоев в периоде каскада составляет 137.3± 6.9 нм, что соответствует расчетной толщине слоев периода каскада гетероструктуры квантово-каскадного детектора. Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный детектор, эпитаксия, арсенид галлия.
- L. Consolino, S. Bartalini, H. Beere, D. Ritchie, M. Vitiello, P. De Natale. Sensors, 13 (3), 3331 (2013)
- G.-R. Kim, T.-I. Jeon, D. Grischkowsky. Opt. Express, 25 (21), 25422 (2017)
- M. Locatelli, M. Ravaro, S. Bartalini, L. Consolino, M.S. Vitiello, R. Cicchi, F. Pavone, P. De Natale. Sci. Rep., 5 (1), 13566 (2015)
- N. Rothbart, O. Holz, R. Koczulla, K. Schmalz, H.-W. Hubers. Sensors, 19 (12), 2719 (2019)
- P.U. Jepsen, D.G. Cooke, M. Koch. Laser Photon. Rev., 5 (1), 124 (2010)
- A. Khalatpour, A.K. Paulsen, C. Deimert, Z.R. Wasilewski, Q. Hu. Nature Photonics, 15 (1), 16 (2020)
- A. Vardi, N. Kheirodin, L. Nevou, H. Machhadani, L. Vivien, P. Crozat, M. Tchernycheva, R. Colombelli, F.H. Julien, F. Guillot, C. Bougerol, E. Monroy, S. Schacham, G. Bahir. Appl. Phys. Lett., 93 (19), 193509 (2008)
- M. Hakl, Q. Lin, S. Lepillet, M. Billet, J.-F. Lampin, S. Pirotta, R. Colombelli, W. Wan, J.C. Cao, H. Li, E. Peytavit, S. Barbieri. ACS Photonics, 8 (2), 464 (2021).
- D. Palaferri, Y. Todorov, Y.N. Chen, J. Madeo, A. Vasanelli, L.H. Li, A.G. Davies, E.H. Linfield, C. Sirtori. Appl. Phys. Lett., 106 (16), 161102 (2015)
- H. Li, W.-J. Wan, Z.-Y. Tan, Z.-L. Fu, H.-X. Wang, T. Zhou, Z.-P. Li, C. Wang, X.-G. Guo, J.-C. Cao. Sci. Rep., 7 (1), 3452 (2017)
- B. Paulillo, S. Pirotta, H. Nong, P. Crozat, S. Guilet, G. Xu, S. Dhillon, L.H. Li, A.G. Davies, E.H. Linfield, R. Colombelli. Optica, 4 (12), 1451 (2017)
- P. Micheletti, J. Faist, T. Olariu, U. Senica, M. Beck, G. Scalari. APL Phot. Optica, 6, 106102 (2021)
- M. Graf, G. Scalari, D. Hofstetter, J. Faist, H. Beere, E. Linfield, D. Ritchie, G. Davies. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 475 (2004)
- J. Popp, M. Haider, M. Franckie, J. Faist, C. Jirauschek. In: 2020 Int. Conf. on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD) (Turin, Italy, 2020). doi: 10.1109/NUSOD49422.2020.9217784
- J. Popp, M. Haider, M. Franckie, J. Faist, C. Jirauschek. In: 2020 XXXIIIrd General Assembly and Scientific Symposium of the Int. Union of Radio Science (Rome, Italy, 2020). doi: 10.23919/URSIGASS49373.2020.9232167
- J. Popp, M. Haider, M. Franckie, J. Faist, C. Jirauschek. Opt. Quant. Electron., 53 (6), 287 (2021)
- link: https://www.nextnano.de/. Accepted date: 21.09.2021
- A.V. Babichev, V.V. Dudelev, A.G. Gladyshev, D.A. Mikhailov, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, V.E. Bougrov, V.N. Nevedomskiy, L.Y. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Y. Egorov. Techn. Phys. Lett., 45 (7), 735 (2019)
- A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.C. Kolodeznyi, A.V. Filimonov, A.A. Usikova, V.N. Nevedomsky, A.G. Gladyshev, L.Y. Karachinsky, I.I. Novikov, A.Y. Egorov. Semiconductors, 52 (6), 745 (2018)
- A.E. Zhukov, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, M.A. Kaliteevski, K.A. Ivanov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, Z.I. Alferov. Semiconductors, 50 (5), 662 (2016)
- G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.E. Zhukov, R.A. Khabibullin, K.V. Maremyanin, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Semiconductors, 54 (9), 1092 (2020)
- H.E. Beere, J.R. Freeman, O.P. Marshall, C.H. Worrall, D. Ritchie. J. Cryst. Growth, 311 (7), 1923 (2009)
- X. Wang, C. Shen, T. Jiang, Z. Zhan, Q. Deng, W. Li, W. Wu, N. Yang, W. Chu, S. Duan. AIP Adv., 6 (7), 075210 (2016).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.