Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами и gamma-квантами
Николаев Д.В.1, Антонова И.В.1, Наумова О.В.1, Попов В.П.1, Смагулова С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 5 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Исследованы накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении их электронами (энергия 2.5 МэВ) и gamma-квантами (энергия 662 кэВ). Обнаружено, что в скрытом диэлектрике структур после облучения появляется дополнительный положительный заряд. Концентрация ловушек для дырок, генерируемых в окисле облучением, вблизи границы с подложкой выше, чем у границы сращивания <отсеченный слой кремния>/окисел. Показано, что наличие даже небольшого встроенного поля в структурах (F>~= 5· 103 В/см) приводит к эффективному разделению носителей. Генерация дополнительных состояний на границах Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе отсутствует при обоих видах облучения, хотя наблюдается в исходном термическом окисле.
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS --- Physics and Technology (John Wiley \& Sons, 1982)
- K. Watanabe, M. Kato, T. Okabe, N. Nagata. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33, 1216 (1986)
- S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical Characterization of Silicon-On-Insulator Materials and Devices (Kluwer Academic Publishers, 1995)
- J.P. Colinge. Silicon-On-Insulator Technology: Materials to VLSI (Kluwer Academic Publishers, 1997) p. 223
- K. Izumi, M. Dokin, H. Ariyoshi. Electron. Lett., 14 (18), 593 (1978)
- H.E. Boesch, Jr., T.L. Taylor, L.R. Hite, W.E. Bailey. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1982 (1990)
- F.T. Brady, S.S. Li, W.A. Krull. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1995 (1990)
- H.K. Annamalai, J.F. Bockman, N.E. McGruer, J. Chapski. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 2001 (1990)
- W.P. Maszara, G. Goetz, A. Caviglia, J.B. McKitterick. J. Appl. Phys., 64, 4943 (1998)
- A.G. Revesz, H.L. Hughes. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, ed. by J.P. Colinge et al. (Kluwer Academic Publishers, 1995) p. 133
- R.E. Stahlbush, G.J. Campisi, J.B. McKitterick, W. Maszara, P. Roitman, G.A. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 2086 (1992)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
- В.П. Попов, И.В. Антонова, Л.В. Миронова, В.Ф. Стась. Патент РФ N 99120527/28(021735) от 28. 09. 99 г
- Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 36 (7), 853 (2002)
- D. Feijoo, Y.J. Chabal, S.B. Christman. IEEE Int. Conf. Proc. (1994) p. 89
- I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov. Microelectronic Engineering, 48, 383 (1999)
- A.N. Nazarov. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, ed. by J.P. Colinge et al. (Kluwer Academic Publishers, 1995) p. 217
- В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Софронов, Г.Н. Феофанов, О.В. Наумова, Д.В. Киланов. ФТП, 35 (9), 1078 (2001)
- V.V. Afanas'ev, A. Stesmans. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 79 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
