Вышедшие номера
Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
Гриняев С.Н.1, Разжувалов А.Н.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. В ограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в 2 раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний.