Ионно-легированные слои создавали имплантацией ионов серы в монокристаллический GaAs, а также в эпитаксиальные пленки GaAs на полуизолирующих подложках с последующим термическим отжигом. Дополнительную радиационную обработку проводили с помощью галогенных ламп (фотонный отжиг). По планарной технологии изготавливали приборы Ганна и интегральные схемы на их основе. Показано, что дополнительная обработка приводит к росту подвижности электронов в слоях за счет снижения концентрации центров рассеяния. Структуры приборов Ганна, подвергнутые фотонному отжигу, характеризуются лучшей однородностью и более высоким значением перепада тока. Слои генерируют близкие к идеальным импульсы тока; отсутствуют эффекты, связанные с захватом на ловушки, а также ударная ионизация.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.