Вышедшие номера
Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии
Бессолов В.Н.1, Жиляев Ю.В.1, Коненкова Е.В.1, Федирко В.А.2, Zahn D.R.T.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
3Institut fur Physik, TU Chemnitz, Chemnitz, Germany
Поступила в редакцию: 27 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

Методами рамановской и инфракрасной спектроскопии изучались нанокристаллические GaN-пленки, которые были выращены хлорид-гидридной эпитаксией на SiO2/Si (111)-подложке при T=520oC. Установлено, что нанокристаллы GaN формируются на поверхности оксидированного кремния со скоростью 10-2 нм/с. Показано, что пики рамановских спектров E2(high)=566 см-1 и A1(LO)=730 см-1 соответствуют упругонапряженной структуре вюрцита GaN. Обнаружено, что в инфракрасных спектрах проявляется пик, связанный с E1(TO)=558 см-1, который показывает, что упругие напряжения в нанокристаллах невелики.