Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии

Бессолов В.Н.¹, Жиляев Ю.В.¹, Коненкова Е.В.¹, Федирко В.А.², Zahn D.R.T.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия Moscow State Technological University STANKIN, Moscow, Russia

Moscow State Technological University STANKIN, Moscow, Russia

³Institut fur Physik, TU Chemnitz, Chemnitz, Germany

Поступила в редакцию: 27 января 2003 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами рамановской и инфракрасной спектроскопии изучались нанокристаллические GaN-пленки, которые были выращены хлорид-гидридной эпитаксией на SiO₂/Si (111)-подложке при T=520^oC. Установлено, что нанокристаллы GaN формируются на поверхности оксидированного кремния со скоростью 10^-2 нм/с. Показано, что пики рамановских спектров E₂(high)=566 см^-1 и A₁(LO)=730 см^-1 соответствуют упругонапряженной структуре вюрцита GaN. Обнаружено, что в инфракрасных спектрах проявляется пик, связанный с E₁(TO)=558 см^-1, который показывает, что упругие напряжения в нанокристаллах невелики.

P. Millet, A. Colka, J.S. Williams, G.J.H. Vantenaar. Appl. Phys. Lett., 63, 2505 (1993)
M. Benaissa, M. Jose-Yacaman, J.M. Hernander, X. Bokhimi, K.E. Gouseles, G. Gerlson. Phys. Rev. B, 54, 17 763 (1996)
G.S. Cheng, L.D. Zhang, Y. Zhou, G.T. Fei, L. Li, C.M. Mo, Y.Q. Mao. Appl. Phys. Lett., 75, 2455 (1999)
M.H. Kim, Y.-C. Bang, N. M. Park, C.J. Choi, T.Y. Seong, S.J. Park. Appl. Phys. Lett., 78, 2858 (2001)
A. Munkholm, C. Thompson, M.V. Raman Murty, J.A. Eastman, O. Anciello, G.B. Stephenson, P. Fini, S.P. DenBaars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 77, 1626 (2000)
Yu.V. Melnik, K.V. Vassilevski, I.P. Nikitina, A.I. Babanin, V.Yu. Davidov, V.A. Dmitriev. MRS Internet J.: Nitride Semicond. Res., 2, 39 (1997)
В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, С.Д. Раевский, В.А. Федирко. Письма ЖТФ, 27 (23), 60 (2001)
M. Benyonul, M. Kuball, B. Benumont, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 80, 2275 (2002)
Y.G. Cao, X.L. Chen, Y.C. Lan, X.P. Xu, Y.K. Liang. J. Mater. Res., 15, 267 (2000)
X. Zhang, Y.T. Hou, Z.C. Feng, J.L. Chen. J. Appl. Phys., 89, 6165 (2001)
S. Tripathy, S.J. Chua, P. Chen, Z.L. Miao. J. Appl. Phys., 92, 3503 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель