Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект компенсации роста времени жизни носителей заряда в полупроводниках в магнитном поле

DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54255.4350

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.11.54958.4350

Муратов Т.Т.

¹Ташкентский государственный педагогический университет им. Низами, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Pedagogical University named after Nizami, Tashkent, Uzbekistan

Tashkent State Pedagogical University named after Nizami, Tashkent, Uzbekistan

Email: temur-muratov@yandex.ru

Поступила в редакцию: 21 ноября 2022 г.

В окончательной редакции: 22 ноября 2022 г.

Принята к печати: 22 ноября 2022 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Анализируются условия регулирования роста времени жизни носителей заряда при рекомбинационных процессах в полупроводниках при низких температурах (1-10) K и классических "сильных" магнитных полях (3·10²-3·10⁴) Гс. Значения концентрации носителей (10¹⁰-10¹⁴) см^-3 соответствуют условиям проявления как каскадного, так и резонансного захвата. Указывается на необходимость учета рассеяния электронов на акустических фононах, наряду с электрон-электронными столкновениями, при их каскадном захвате на кулоновские центры. Как показано (на основе конкретных оценок), именно учет рассеяния на акустических фононах стабилизирует время жизни и контролирует динамику его роста в присутствии "сильного" магнитного поля. Ключевые слова: эффективный коэффициент захвата, каскадный захват, рекомбинация, классическое "сильное" магнитное поле, "мелкие" акустические фононы, электрон-электронные столкновения, время жизни.

Е.М. Гершензон, Г.Н. Гольцман, А.П. Мельников. Письма ЖЭТФ, 14 (5), 281 (1971)
Е.М. Гершензон, Ю.П. Ладыжинский, А.П. Мельников. Письма ЖЭТФ, 14 (9), 380 (1971)
Т.Т. Муратов. ФТП, 53 (12), 1609 (2019)
Б.Б. Зеленер, Б.В. Зеленер, Э.А. Маныкин. Письма ЖЭТФ, 95 (3), 164 (2012)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ФТИ, 1997)
А.Г. Залужный, А.З. Варисов, В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, Ю.В. Фунтиков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2, 15 (2008)
Б.М. Ашкинадзе, Н.Р. Тевс. ФТП, 19 (6), 1122 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель