Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние многослойного полевого электрода на степень выраженности эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.11.54963.9975 
1Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники", Воронеж, Россия 
Email: arp@niiet.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 8 ноября 2022 г.
Принята к печати: 8 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2022 г.
Проведено моделирование Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors-транзисторных структур с двух- и трехслойным полевым электродом. На обеих структурах была оценена степень выраженности эффекта квазинасыщения выходных вольт-амперных характеристик. Показано, что новая конструкция трехслойного полевого электрода позволяет существенно ослабить эффект квазинасыщения. Ключевые слова: мощные СВЧ транзисторы, LDMOS-технология, квазинасыщение вольт-амперной характеристики.
- A.Z. Ahmad, E. Aggrawal, K. Rawat. 7th Int. Conf. on Signal Processing and Integrated Networks (SPIN) (Noida, India, 27-28 February, 2020) p. 166
- H. Dhanyal, W. Hu, H. Feroz, H. Nawaz, A. Samad, U. Faroox. 5th Int. Conf. on Computer and Communication Systems (ICCCS 2020) (Shanghai, China, May 15-18, 2020) p. 840
- S.J.C.H. Theeuwen, H. Mollee, R. Heeres, F. van Rijs. LDMOS Technology for Conference (EuMIC) (Madrid, Spain, 23-25 September, 2018) p. 62
- Сайт фирмы Ampleon [Электронный ресурс]. --- Режим доступа: --- https://www.ampleon.com (дата обращения 07.10.2022)
- B.K. Sampath, M. Shrivastava. IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 191 (2018)
- Р.П. Алексеев, А.Н. Цоцорин, Е.Н. Бормонтов, Г.В. Быкадорова. Электрон. техн., сер. 1: СВЧ-техника, 543 (4), 6 (2019)
- Р.П. Алексеев, А.Н. Цоцорин, Е.Н. Бормонтов, Г.В. Быкадорова. Электрон. техн., сер. 1: СВЧ-техника, 543 (4), 15 (2019)
- Y. Shi, N. Feilchenfeld, R. Phelps, M. Levy, M. Knaipp, R. Minixhofer. IEEE 23rd Int. Symp. on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2011) (San Diego, California, USA, 23-26 May 2011) p. 215
- Сайт электронного журнала "Active and Passive Electronic Components" [Электронный ресурс]. --- Режим доступа: https://web.archive.org/web/20200216153801id_/http://downloads.hindawi.com/journals/apec/2019/8425198.pdf (дата обращения 07.10.2022)
- Р.П. Алексеев, М.И. Черных, А.Н. Цоцорин, И.В. Семейкин, Г.В. Быкадорова. ФТП, 55 (8), 689 (2021)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
