Вышедшие номера
Влияние многослойного полевого электрода на степень выраженности эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов
Алексеев Р.П.1, Куршев П.Л.1, Цоцорин А.Н.1
1Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники", Воронеж, Россия
Email: arp@niiet.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 8 ноября 2022 г.
Принята к печати: 8 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2022 г.

Проведено моделирование Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors-транзисторных структур с двух- и трехслойным полевым электродом. На обеих структурах была оценена степень выраженности эффекта квазинасыщения выходных вольт-амперных характеристик. Показано, что новая конструкция трехслойного полевого электрода позволяет существенно ослабить эффект квазинасыщения. Ключевые слова: мощные СВЧ транзисторы, LDMOS-технология, квазинасыщение вольт-амперной характеристики.