Вышедшие номера
Распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния
Казанский А.Г.1, Хабарова К.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

С помощью метода фотомодуляционной спектроскопии исследовано распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне пленок микрокристаллического гидрированного кремния (mu c-Si : H) с различным уровнем легирования бором. Информацию о распределении плотности состояний получали из анализа температурных зависимостей постоянной и переменной составляющих фотопроводимости при освещении пленок модулированным светом. Получено распределение плотности электронных состояний в верхней и нижней половинах запрещенной зоны mu c-Si : H. Проведенные исследования показали, что в mu c-Si : H хвост плотности состояний вблизи валентной зоны более пологий по сравнению с хвостом плотности состояний вблизи зоны проводимости.