Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 1 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
С помощью метода фотомодуляционной спектроскопии исследовано распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне пленок микрокристаллического гидрированного кремния (mu c-Si : H) с различным уровнем легирования бором. Информацию о распределении плотности состояний получали из анализа температурных зависимостей постоянной и переменной составляющих фотопроводимости при освещении пленок модулированным светом. Получено распределение плотности электронных состояний в верхней и нижней половинах запрещенной зоны mu c-Si : H. Проведенные исследования показали, что в mu c-Si : H хвост плотности состояний вблизи валентной зоны более пологий по сравнению с хвостом плотности состояний вблизи зоны проводимости.
- J. Meier, P. Torres, R. Platz, S. Dubail, U. Kroll, J.A.A. Selvan, N.P. Vaucher, Ch. Hof, D. Fisher, H. Keppner, A. Shah, K.D. Ufert, P. Giannoules, J. Koehler. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 420, 3 (1996)
- R. Bruggemann, J.P. Kleider, C. Longeaud, F. House. Materials for information technology in the new millennium, ed. by J.M. Marshall et al. (Bookcraft, Bath, UK, 2001) p. 212
- W. Bronner, J.P. Kleider, R. Bruggemann, M. Mehring. Thin Sol. Films, 427, 51 (2003)
- T. Unold, R. Bruggemann, J.P. Kleider, C. Longeaud. J. Non-Cryst. Sol., 266-269, 325 (2000)
- I. Balberg, Y. Dover, R. Naides, J.P. Conde, V. Chu. Phys. Rev. B, 69, 035203 (2004)
- J. Kocka. J. Non-Cryst. Sol., 90, 91 (1987)
- А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 34, 373 (2000)
- H. Oheda. J. Appl. Phys., 52, 6693 (1981)
- R.R. Koropecki, J.A. Smidt, R. Arce. J. Appl. Phys., 91, 8965 (2002)
- K.W. Boer, E.A. Niekisch. Phys. Status Solidi, 1, 275 (1961)
- P.A. Forsh, A.G. Kazanskii, H. Mell, E.I. Terukov. Thin Sol. Films, 383, 251 (2001)
- H. Overhof, M. Otte. Future directions in thin film science and technology (Singapore, World Scientific, 1997) p. 23
- F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266-269, 511 (2000)
- P. Altermatt, G. Heiser. J. Appl. Phys., 92, 2561 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
