Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне микрокристаллического гидрированного кремния

Казанский А.Г.¹, Хабарова К.Ю.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 1 марта 2004 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью метода фотомодуляционной спектроскопии исследовано распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне пленок микрокристаллического гидрированного кремния (mu c-Si : H) с различным уровнем легирования бором. Информацию о распределении плотности состояний получали из анализа температурных зависимостей постоянной и переменной составляющих фотопроводимости при освещении пленок модулированным светом. Получено распределение плотности электронных состояний в верхней и нижней половинах запрещенной зоны mu c-Si : H. Проведенные исследования показали, что в mu c-Si : H хвост плотности состояний вблизи валентной зоны более пологий по сравнению с хвостом плотности состояний вблизи зоны проводимости.

J. Meier, P. Torres, R. Platz, S. Dubail, U. Kroll, J.A.A. Selvan, N.P. Vaucher, Ch. Hof, D. Fisher, H. Keppner, A. Shah, K.D. Ufert, P. Giannoules, J. Koehler. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 420, 3 (1996)
R. Bruggemann, J.P. Kleider, C. Longeaud, F. House. Materials for information technology in the new millennium, ed. by J.M. Marshall et al. (Bookcraft, Bath, UK, 2001) p. 212
W. Bronner, J.P. Kleider, R. Bruggemann, M. Mehring. Thin Sol. Films, 427, 51 (2003)
T. Unold, R. Bruggemann, J.P. Kleider, C. Longeaud. J. Non-Cryst. Sol., 266-269, 325 (2000)
I. Balberg, Y. Dover, R. Naides, J.P. Conde, V. Chu. Phys. Rev. B, 69, 035203 (2004)
J. Kocka. J. Non-Cryst. Sol., 90, 91 (1987)
А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 34, 373 (2000)
H. Oheda. J. Appl. Phys., 52, 6693 (1981)
R.R. Koropecki, J.A. Smidt, R. Arce. J. Appl. Phys., 91, 8965 (2002)
K.W. Boer, E.A. Niekisch. Phys. Status Solidi, 1, 275 (1961)
P.A. Forsh, A.G. Kazanskii, H. Mell, E.I. Terukov. Thin Sol. Films, 383, 251 (2001)
H. Overhof, M. Otte. Future directions in thin film science and technology (Singapore, World Scientific, 1997) p. 23
F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266-269, 511 (2000)
P. Altermatt, G. Heiser. J. Appl. Phys., 92, 2561 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель