Вышедшие номера
Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом
Тонких А.А.1,2, Цырлин Г.Э.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,2, Сошников И.П.2, Устинов В.М.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Комбинированным методом вакуумного напыления и молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (111)B синтезированы массивы нитевидных кристаллов (вискеров) GaAs. Структурные свойства поверхности полученных образцов исследованы с помощью сканирующего электронного микроскопа. Обнаружено, что поверхностная плотность вискеров составляет величину (1-2)· 109 см-2. Характерные размеры вискеров: 30-150 нм (диаметр) и 300-800 нм (длина). Показана возможность управлять размерами вискеров путем изменения условий роста и толщины напыленной пленки золота.