Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd0.3Hg0.7Te, легированных мышьяком
Ружевич М.С.
1, Фирсов Д.Д.
2, Комков О.С.
2, Мынбаев К.Д.
1,3, Варавин В.С.
4, Якушев М.В.
41Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: max.ruzhevich@niuitmo.ru, d.d.firsov@gmail.com, okomkov@yahoo.com, mynkad@mail.ioffe.ru, varavin@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 5 сентября 2023 г.
Принята к печати: 7 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Представлены результаты исследования фотолюминесценции пленок твердых растворов Cd0.3Hg0.7Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si и легированных мышьяком. Анализ спектров фотолюминесценции, полученных при различных температурах и мощностях возбуждающего лазера, позволил судить о природе зарегистрированных пиков. В пленках, прошедших двухстадийный активационный отжиг, наблюдалась активация мышьяка с формированием мелких (7-8 мэВ) акцепторных уровней. Подтверждена эффективность мышьяка в качестве акцепторной примеси для теллуридов кадмия-ртути. Ключевые слова: CdHgTe, легирование, акцепторная примесь, фотолюминесценция.
- M. Kopytko, A. Rogalski. Sensors Actuators: A. Phys., 339, 113511 (2022)
- J.W. Garland, C. Grein, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 42, 3331 (2013)
- M.A. Berding, A. Sher. Appl. Phys. Lett., 74, 685 (1999)
- H.R. Vydyanath. Semicond. Sci. Technol., 5, S213 (1990)
- X. Biquard, I. Alliot, P. Ballet. J. Appl. Phys., 106, 103501 (2009)
- P. Ballet, B. Polge, X. Biquard, I. Alliot. J. Electron. Mater., 38, 1726 (2009)
- M.S. Ruzhevich, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Sci. Technol., 4 (4), 17 (2022)
- I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, A. Solignac, P. Ballet, A. Lusson. Appl. Phys. Lett., 95, 202104 (2009)
- F. Gemain, I.C. Robin, S. Brochen, P. Ballet, O. Gravrand, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett., 102, 124104 (2013)
- F. Yue, J. Chu, J. Wu, Z. Hu, Y. Li, P. Yang. Appl. Phys. Lett., 92, 121916 (2008)
- F.-Y. Yue, L. Chen, Y.-W. Li, Z.-G. Hu, L. Sun, P.-X. Yang, J.-H. Chu. Chin. Phys. B, 19, 117106 (2010)
- G.K.O. Tsen, R.H. Sewell, A.J. Atanacio, K.E. Prince, C.A. Musca, J.M. Dell, L. Faraone. Semicond. Sci. Technol., 23, 015014 (2008)
- M. Zandian, A.C. Chen, D.D. Edwall, J.G. Pasko, J.M. Arias. Appl. Phys. Lett., 71, 2815 (1997)
- Y. Selamet, C.H. Grein, T.S. Lee, S. Sivananthan. J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1488 (2001)
- М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, Д.В. Марин. ФТП, 48, 788 (2014)
- Г.Ю. Сидоров, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, Д.Г. Икусов, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий. ФТП, 42, 668 (2008)
- D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 285108 (2016)
- О.С. Комков, М.В. Якушев. Фотомодуляционная оптическая спектроскопия варизонных гетероструктур CdHgTe. ФТП, принято в печать (2023). УТОЧНЯЕТСЯ!
- C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 62, 10353 (2000).
- К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров. Письма ЖТФ, 36 (11), 39 (2010)
- D. Shaw, P. Capper. Extrinsic Doping, Chap. 14 in: Mercury cadmium telluride: growth, properties, and applications, ed. by P. Capper, J. Garland (John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, 2017) p. 323. https://doi.org/10.1002/9780470669464
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.