Вышедшие номера
InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17-1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
Минобрнауки РФ, Работа выполнена при поддержке государственного задания, FSWR-2023-0037
Самарцев И.В.1, Звонков Б.Н.1, Байдусь Н.В.1, Чигинева А.Б.1, Жидяев К.С.1, Дикарева Н.В.1, Здоровейщев А.В.1, Рыков А.В. 1, Планкина С.М.1, Нежданов А.В.1, Ершов А.В. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: samartsev@nifti.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, chigineva@nifti.unn.ru, zhidyaev@nifti.unn.ru, dnat@ro.ru, zdorovei@gmail.com, rykovsc@gmail.com, plankina@phys.unn.ru, nezhdanov@phys.unn.ru, ershov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 30 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 20 июня 2023 г.
Принята к печати: 17 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

Приведены результаты исследований по созданию фотодиодов для спектрального диапазона >1 мкм, сформированных на подложках GaAs. Разработана технология эпитаксиального выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии InGaAs p-i-n-фотодиодных структур c дискретным метаморфным буферным слоем In0.3Ga0.7As/GaAs. Для фотодиодов, изготовленных на основе полученных структур, спектральная зависимость фототока имела максимум на длине волны 1.24 мкм, спектральная область фоточувствительности составляла 1.17-1.29 мкм на уровне 10% от ее максимума при комнатной температуре. Представлены вольт-амперные характеристики фотодиодов в диапазоне температур 9-300 K. Показано, что темновой ток содержит генерационно-рекомбинационную и туннельную компоненты. Достигнуто пониженное значение плотности темнового тока 8·10-5 А/см2 при обратном смещении -5 В и комнатной температуре. Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, наноматериалы, полупроводники AIIIBV, инфракрасные фотодиоды, темновой ток.