Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пространственное распределение интенсивности электролюминесценции и внутренний квантовый выход во флип-чип диодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb с удаленной подложкой

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56481.4798

Матвеев Б.А. ¹, Ратушный В.И.², Рыбальченко А.Ю.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия Volgodonsk Engineering and Technical Institute --- branch of the National Research Nuclear University MEPhI, Volgodonsk, Russia

Volgodonsk Engineering and Technical Institute --- branch of the National Research Nuclear University MEPhI, Volgodonsk, Russia

Email: bmat@iropt3.ioffe.ru, payalnik07@yandex.ru

Поступила в редакцию: 5 апреля 2023 г.

В окончательной редакции: 26 июля 2023 г.

Принята к печати: 1 августа 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен расчет пространственного распределения интенсивности электролюминесценции с учетом особенностей растекания тока, принимая во внимание зависимость внутреннего квантового выхода от плотности тока при доминировании oже-рекомбинации, во флип-чип диодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb (λ=4.2 мкм). Из сопоставления расчетных данных и распределения излучения по поверхности образца определен внутренний квантовый выход электролюминесценции и его зависимость от плотности тока при комнатной температуре. Ключевые слова: узкозонные гетероструктуры А^IIIВ^V, светодиоды среднего ИК диапазона спектра, сгущение линий тока в светодиодах, светодиоды на основе InAsSb, внутренний квантовый выход в светодиодах на основе InAsSb.

А.В. Загнитько, И.Д. Мацуков, В.В. Пименов, C.Е. Сальников, Д.Ю. Федин, В.И. Алексеев, С.М. Вельмакин. ЖТФ, 92 (6), 783 (2022)
В.М. Кабацiй, Б.Я. Хом'як, О.Ю. Питьовка, Ю.I. Фордзюн. Освiта i наука, вип. 2 (27), ч. 2. 7 (2019). http://msu.edu.ua/УДК 662.767.1=161.1. Doi:10.31339/2617-0833-2019-2(27)-2-7-12
L. Ch'ien, Y. Wang, A. Shi, X. Wang, J. Bai, L. Wang, F. Li. Infr. Phys. Technol., 108, 103335 (2020). https://doi.org/10.1016/j.infrared.2020.103335
А.Л. Закгейм. Светодиоды и их эффективное применение (М. Светотехника, 2021). ISBN 978-5-6043163-4-4
Ф. Шуберт. Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. (М., Физматлит, 2008). ISBN 978-5-9221-0851-5
Я.Я. Кудрик, А.В. Зиновчук. Письма ЖТФ, 38 (10), 14 (2012).
А.А. Климов, М.А. Ременный. Тез. докл. "Неделя науки СПбПУ": матер. науч. конф. с междунар. участием (19-24 ноября 2018 г.), Лучшие докл. (СПб., Политех-пресс, 2018) с. 150
В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 97 (2005)
Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, А.А. Семакова, Г.Г. Зегря. ФТП, 56 (5), 479 (2022)
Б.А. Матвеев, В.И. Ратушный, А.Ю. Рыбальченко. ЖТФ, 90 (5), 835 (2020). [B.A. Matveev, V.I. Ratushnyi, A.Yu. Rybal'chenko. Techn. Phys., 65 (5), 799 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220050187
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, М.А. Сиповская, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (7), 781 (1999)
P. Chakrabarti, A. Krier, X.L. Huang, P. Fenge. IEEE Electron Dev. Lett., 25 (5), 283 (2004)
New Semiconductor Materials. Biology systems. Characteristics and Properties. www.matprop.ru
M. Carras, G. Marre, B. Vinter, J.L. Reverchon, V. Berger. Design and fabrication of InAsSb detectors. Detectors and Associated Signal Processing (Saint Etienne, France, 19 February, 2004). Proc. SPIE, 5251. https://doi.org/10.1117/12.514204

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель