Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Твердые растворы (CIV2)1-x(AIIIBV)x, полученные из ограниченного объема оловянного раствора--расплава
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 30 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывного ряда твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора-расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si2)1-x(GaAs)x (0=<q x=<q0.96) и (Si2)1-x(GaP)x (0=<q x=<q 1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине слоев (Si2)1-x(GaAs)x, (Si2)1-x(GaP)x, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si2)1-x(GaAs)x и Si-(Si2)1-x(GaP)x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывает на структурное совершенство выращенных твердых растворов (CIV2)1-x(AIIIBV)x.
- М.С. Саидов. Гелиотехника, N 5--6, 57 (1997)
- Я.С. Уманский, Б.Н. Финкельштейн и др. Физическое металловедение (М., Металлургиздат, 1955) с. 122
- Л.И. Марина, А.Я. Нашельский, Л.И. Колесник. Полупроводниковые фосфиды A3B5 и твердые растворы на их основе (М., Металлургия, 1974) с. 45
- М.С. Саидов, И. Шукуров. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8 (2), 2077 (1972)
- В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1975)
- C.D. Thurmond. J. Phys. Chem. Sol., 28 (11), 2257 (1967)
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962)
- Б. Сапаев, А.С. Саидов, У.Т. Давлатов. Вестн. Гуллистанского гос. ун-та, N 1, 50 (2001)
- С.В. Мамиканян. Аппаратура и методы флуоресцентного рентгено-радиометрического анализа (М., Атомиздат, 1976)
- Е.Ф. Вегман, Ю.Г. Руфанов, И.Н. Федорченко. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография (М., Металлургия, 1990)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985)
- A.K. Riben, B.L. Feucht, W.G. Oldham. J. Electrochem. Soc., 113 (3), 245 (1966)
- H.J. Howel, A.G. Milnes. J. Electrochem. Soc., 116 (6), 843 (1969)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Кристаллография, 22 (2), 431 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
