Исследовались вольт-амперные характеристики гетероструктур Sb-Si(n)-Ge₃₃As₁₂Se₅₅-Sb и Sb-Si(n)-Bi-Ge₃₃As₁₂Se₅₅-Sb. Установлено, что наличие атомов висмута в переходной области приводит к увеличению тока, протекающего через структуру. Область объемного заряда, а соответственно и величина проникновения контактного поля в p-область лежат в пределах 0.2-0.5 мкм. Введение модификационного слоя висмута также приводит к качественным изменениям вольт-амперной характеристики, что свидетельствует об изменении механизма переноса носителей заряда в структуре. Введение нанослоя Bi обусловливает переход от резкого гетероперехода к плавному. В структурах с модифицированным переходным слоем наблюдается отсутствие мягкого пробоя. Мягкий пробой наблюдается при обратном смещении, причем напряжение отсечки ~0.62 В отвечает барьеру для электронов 0.65 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.