Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние термоэлектрического поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода p-Ge--n-GaAs
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 4 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Исследованы вольт-амперные характеристики, возникающие при встречных градиентах температуры, для "длинных" p-n-гетеропереходов Ge-GaAs. Наблюдался рост коэффициента выпрямления в зависимости от величины встречных тепловых потоков, который объясняется термоэлектрическим полем, образующимся на гетерогранице.
- Н.С. Лидоренко, И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Каломоец. ДАН СССР, 272, 855 (1983)
- М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов. ФТП, 37 (11), 1334 (2003)
- R.L. Anderson. Sol. st. Electon., 5, 341 (1962)
- М.М. Гаджиалиев, В.А. Елизаров. ФТП, 32, 1313 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
