Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTe--электролит
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия 
Поступила в редакцию: 25 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Экспериментально и расчетным путем показано, что структуры, в которых при комнатных температурах проявляются свойства двумерного и одномерного электронного газа, могут быть сформированы на основе соединений CdHgTe в системе полупроводник-электролит. Представлена методика формирования квантово-размерных структур и рассмотрен метод контроля электрофизических свойств таких структур непосредственно в процессе их образования.
- M.J. Kelly. Low-dimensional semiconductors. Materials, Physics, Technology, Devices (Oxford, Clarendon Press, 1995)
- T. Ando, Y. Arakawa, K. Furuya, S. Komiyama, H. Nakashima. Mesoscopic Physics and Electronics (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 1998)
- П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПб., Изд-во СПб. ун-та, 2003) гл. 6, с. 111
- А.М. Яфясов, П.П. Коноров, В.Б. Божевольнов. В сб.: Фундаментальные исследования новых материалов и процессов в веществе (М., Изд-во МГУ, 1994) с. 129
- Semiconductors and Semimetals. Mercury Cadmium Telluride / Ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N.Y. A.P.) 18, 388 (1981)
- R. Dornhaus, G. Nimts. Springer Tracts in Modern Phys., 98 (1), 309 (1983)
- M.W. Scot. J. Appl. Phys., 43, 1055 (1992)
- J.C. Shim, Y.G. Kim, Y.T. Song, J.K. Hong, S.U. Kim, M.J. Park. J. Cryst. Growth, 214/215, 260 (2000)
- V. Sakashito, B. Lochek, H.H. Streblov. J. Electroanal. Chem., 140, 75 (1982)
- D.R. Rhiser, R.E. Kvaas. J. Vac. Sci. Technol., 21, 168 (1982)
- R. Kumaresan, S. Moorthy Babu, P. Ramasamy. J. Cryst. Growth, 198/199, 1165 (1999)
- Jong-Hwa Choi, Hee Chul Lee. Semicond. Sci. Technol., 17, 266 (2002)
- И.М. Иванкив, А.М. Яфясов, В.Б. Божевольнов, А.Д. Перепелкин. ФТП, 35 (5), 546 (2001)
- М.Д. Кротова, Б.И. Лендцнер, Л.Л. Кноу, Ю.В. Плесков. Электрохимия, 5, 291 (1969)
- Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1983) с. 312
- И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992) с. 158
- Г. Николис, И. Пригожин. Познание сложного (М., Мир, 1990) с. 339
- A.M. Yafyasov, I.M. Ivankiv, V.B. Bogevolnov. Appl. Surf. Sci., 142, 629 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
