Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерного излучения
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 8 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Теоретически изучено влияние резонансного лазерного импульса на квантовую динамику электронов в системе из 3 полупроводниковых квантовых точек, имеющих форму параллелепипедов. Показано, что в несимметричной структуре перенос электрона между крайними точками описывается двухуровневой схемой с диагональными переходами. Энергии рабочих уровней, а также матричные элементы для соответствующих электронных переходов получены в приближении высоких барьеров. Найдены параметры лазерного импульса, при которых вероятность резонансного перехода электрона из основного состояния одной квантовой точки в основное состояние другой квантовой точки является максимальной.
- L.A. Openov. Phys. Rev. B, 60, 8798 (1999)
- А.В. Цуканов, Л.А. Опенов. ФТП, 38, 94 (2004)
- H. Benisty. Phys. Rev. B, 51, 13 281 (1995)
- P.A. Knipp, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 52, 5923 (1995)
- A.A. Larionov, L.E. Fedichkin, K.A. Valiev. Nanotechnology, 12, 536 (2001)
- A.V. Tsukanov, A.A. Larionov, K.A. Valiev. Proc. of SPIE, 5128, 131 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
