Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 8 » Статья стр. 700
<<<>>>
Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками
Минтаиров М.А.1, Евстропов В.В.1, Минтаиров С.А.1, Салий Р.А.1, Надточий А.М.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamint@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 18 октября 2023 г.
Принята к печати: 6 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
PDF версия
Исследовано влияние уменьшения при понижении температуры, темпов тепловых выбросов носителей в различных каналах на ток насыщения GaAs p-n-перехода с Ga0.8In0.2As-квантовыми точками. Ток насыщения был рассчитан для температур в диапазоне от 20 до 325 K. Расчет основывался на обнаруженном ранее токовом инварианте, определяющем зависимость тока насыщения от температуры и ширины запрещенной зоны. Определение темпа рекомбинации в различных каналах, а также соответствующих ширин запрещенных зон было произведено по анализу спектров фотолюминесценции. Для различных каналов были определены характерные температуры, ниже которых тепловые выбросы носителей заряда практически отсутствуют. Расчет тока насыщения показал, что, несмотря на изменение темпов рекомбинации в различных каналах, он определяется только рекомбинацией через каналы с наименьшей энергией рекомбинации. Ключевые слова: солнечные элементы, ток насыщения, токовый инвариант, эффективность.
  1. N.J. Ekins-Daukes, K.W.J. Barnham, J.P. Connolly, J.S. Roberts, J.C. Clark, G. Hill, M. Mazzer. Appl. Phys. Lett., 75 (26), 4195 (1999). DOI: 10.1063/1.125580
  2. B. Browne, J. Lacey, T. Tibbits, G. Bacchin, T.-C. Wu, J.Q. Liu, X. Chen, V. Rees, J. Tsai, J.-G. Werthen. AIP Conf. Proc., 1556, 3 (2013) p. 3. DOI: 10.1063/1.4822185
  3. D. Guimard, R. Morihara, D. Bordel, K. Tanabe, Y. Wakayama, M. Nishioka, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 96 (20), 203507 (2010). DOI: 10.1063/1.3427392
  4. V. Popescu, G. Bester, M.C. Hanna, A.G. Norman, A. Zunger. Phys. Rev. B, 78 (20), 205321 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.78.205321
  5. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26 (38), 385202 (2015). DOI: 10.1088/0957-4484/26/38/385202
  6. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy. Appl. Phys. Exp., 13 (7), 075002 (2020). DOI: 10.35848/1882-0786/ab9318
  7. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S. A. Mintairov, A.M. Nadtochii, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyi. Techn. Phys. Lett., 46 (6), 599 (2020). DOI: 10.1134/S106378502006022X
  8. K. Toprasertpong, H. Fugii, T. Thomas, M. Fuhrer, D. Alonso-Alvarez, D.J. Farrell, K. Watanabe, Y. Okada, N.J. Ekins-Daukens, M. Sugiyama, Y. Nakano. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 24 (4), 533 (2016). DOI: 10.1002/pip.2585
  9. D.B. Bushnell, N.D. Tibbits, K.W.J. Barnham, G.P. Connolly, M. Mazzer, N.J. Ekins-Daukes, J.S. Roberts, G. Hill, R. Airey. J. Appl. Phys., 97 (12), 124908 (2005). DOI: 10.1063/1.1946908
  10. R. Kellenbenz, W. Guter, P. Kailuweit, E. Oliva, F. Dimroth. Proc. 8th Eur. Space Power Conf. (4-19 September 2008, Constance, Germany)
  11. N. Ekins-Daukes. Solar Energy Mater. Solar Cells, 68 (1), 71 (2001). DOI: 10.1016/S0927-0248(00)00346-9
  12. D. Guimard, R. Morihara, D. Bordel, K. Tanabe, Y. Wakayama, M. Nishioka. Appl. Phys. Lett., 96 (20), 203507 (2010). May, 2010. DOI: 10.1063/1.3427392
  13. S.M. Hubbard, C. Plourde, Z. Bittner, C.G. Bailey, M. Harris, T. Bald, M. Bennett, D.V. Forbes, R. Raffaelle. In 2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (July 2010) p. 001217. DOI: 10.1109/PVSC.2010.5614053
  14. C.G. Bailey, D.V. Forbes, R.P. Raffaelle, S.M. Hubbard. Appl. Phys. Lett., 98 (16), 163105 (2011). DOI: 10.1063/1.3580765
  15. M. Sugiyama, H. Fujii, T. Katoh, K. Toprasertpong, H. Sodabanlu, K. Watanabe, D. Alonso-Alvarez, N.J. Ekins-Daukes, Y. Nakano. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 24 (12), 1606 (2016). DOI: 10.1002/pip.2769
  16. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy. AIP Conf. Proc., 2298, 020007 (2020). DOI: 10.1063/5.0033763
  17. R.A. Salii, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, V.N. Nevedomskii, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 54 (10), 1267 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620100255
  18. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy. J. Phys.: Conf. Ser., 1697 (1), 012170 (2020). Dec. 2020. DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012170
  19. W. Shockley. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors (Bell System Techn. J., July 1949) p. 435

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme