Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO--Cu(In,Ga)Se₂

Гременок В.Ф.¹, Ильчук Г.А.², Никитин С.Е.³, Рудь В.Ю.⁴, Рудь Ю.В.³

¹Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук, Минск, Белоруссия
²Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 апреля 2004 г.

Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

PDF версия

Методом магнетронного распыления мишени из ZnO с последующим осаждением на поверхность пленок Cu(In,Ga)Se₂ получены тонкопленочные гетеропереходы n-ZnO(Al)/p-Cu(In,Ga)Se₂. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Сделан вывод о возможностях применения бескадмиевых экологически безопасных гетероструктур в качестве высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучения.

V. Nadenau, D. Braunder, D. Hariskos, M. Keiser, Ch. Koble, A. Oberacker, M. Ruckh, U. Ruhle, R. Schaffler, D. Schmid, T. Walter, S. Zweigart, H.W. Schock. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 3, 363 (1995)
U. Rau, H.W. Schock. Renewable and Sustainable Energy Reviews, 1, 277 (2001)
A. Jasenek, U. Rau. J. Appl. Phys., 90, 650 (2001)
D. Hariscos, M. Ruckh, U. Ruhle, T. Walter, H.W. Schock, J. Hedstrom, L. Stolt. Solar Energy Mater. Solar Cells, 41/42, 345 (1996)
D. Braunder, D. Hariskos, T. Walter, H.W. Schock. Solar Energy Mater. Solar Cells, 40, 97 (1996)
С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 37, 1329 (2003)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Willey--Interscience Publ., N.Y., 1981)
E. Hermandez. Crest. Res. Technol., 13, 385 (1998)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
T.J. Coutts, L.L. Kazmerski, S. Wagner. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications (Amsterdam, Pergamon Press, 1986)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель