Качественное различие механизмов процесса электроформовки в структурах Si--SiO2--W для Si n- и p-типов проводимости
Мордвинцев В.М.1, Кудрявцев С.Е.1, Левин В.Л.1
1Институт микроэлектроники и информатики Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Приводятся результаты экспериментов по исследованию процессов электроформовки в открытых "сaндвич"-структурах Si-SiO2-W с толщиной SiO2 около 20 нм. Отмечается их принципиальное различие для Si p- и n-типов проводимости: в первом случае наблюдается обычная для электроформовки N-образная вольт-амперная характеристика, во втором - типичная для электрического пробоя с тепловой неустойчивостью S-образная зависимость. Обсуждаются механизмы процессов. Отмеченное различие может быть связано с тем, что только поток электронов (но не дырок) через структуру приводит к деструкции молекул на поверхности изолирующей щели и образованию из них частиц проводящей фазы.
- Дж. Дирнлей, А. Стоунхэм, Д. Морган. УФН, 112, 83 (1974)
- H. Pagnia, N. Sotnik. Phys. Status Solidi (a), 108 (11), 11 (1988)
- V.M. Mordvintsev, V.L. Levin. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 243 (1995)
- К.А. Валиев, В.Л. Левин, В.М. Мордвинцев. ЖТФ, 67 (11), 39 (1997)
- В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев. Микроэлектроника, 30, 353 (2001)
- К.А. Валиев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин, В.М. Мордвинцев, В.Л. Савасин. Микроэлектроника, 26, 3 (1997)
- В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев. ЖТФ, 72 (4), 53 (2002)
- В.М. Мордвинцев, Т.К. Шумилова. Микроэлектроника, 28, 122 (1999)
- П. Таунсенд. В сб.: Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, вып. II, под ред. Р. Бериша. Сер. Проблемы прикладной физики (М., Мир, 1986) с. 205
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
- В.М. Мордвинцев, С.Е. Кудрявцев, В.Л. Левин. Микроэлектроника, 27, 49 (1998)
- В.М. Мордвинцев, В.Л. Левин. ЖТФ, 64 (12), 88 (1994)
- А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов. УФН, 147, 459 (1985)
- Г.Ф. Друкарев. Столкновения электронов с атомами и молекулами (М., Наука, 1978)
- А. Модинос. Авто-, термо- и вторично-эмиссионная спектроскопия (М., Наука, 1990)
- В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки ( физика, технология, применение) (М., Радио и связь, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук