Вышедшие номера
Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN
Сизов Д.С.1, Сизов В.С.1, Заварин Е.Е.1, Лундин В.В.1, Фомин А.В.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Исследовались электронно-оптические свойства светодиодных структур, содержащих в активной области несколько рядов квантовых точек InGaN/GaN, разделенных спейсерами GaN. Показано, что заращивание слоя квантовых точек слоем InGaN более низкого состава с повышением температуры позволяет усилить глубину локализации носителей в квантовых точках. Кроме того, наблюдается неоднородная инжекция носителей преимущественно в области с большей глубиной локализации. Подробно исследованы электронно-оптические свойства p-n-перехода и влияние указанных неоднородностей на эти свойства и показано, что сдвиги линий излучения фото- и электролюминесценции при изменении условий измерений связаны с данными свойствами неоднородности в p-n-переходе.