Влияние уплотнения на люминесцентные свойства порошков ZnS : Ga
Бачериков Ю.Ю.1, Кицюк Н.В.1, Оптасюк С.В.1, Стадник А.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.
Исследованы порошки сульфида цинка, термолегированные галлием. Рассмотрены механизмы диффузии Ga в порошках ZnS в зависимости от плотности упаковки частиц порошка. С этой целью часть исследуемых порошков ZnS гранулировалась в таблетки. Установлено, что легирование галлием порошков ZnS протекает более эффективно при условии уплотнения порошка. Обнаружена электролюминесценция ZnS, легированного Ga.
- М. Авен, Д.С. Пренер. Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970). [Пер. с англ.: Phуsics and chemistry of II--VI compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (Amsterdam, North Holland, 1967)]
- Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка, получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
- И.К. Верещагин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин. Электролюминесцентные источники света, под ред. И.К. Верещагина (М., Энергоатомиздат, 1990)
- Ю.Ю. Бачериков, И.П. Ворона, С.В. Оптасюк, В.Е. Родионов, А.А. Стадник. ФТП, 38 (9), 1025 (2004)
- W. Van Gool, A.P. Cleiren. Phil. Res. Rep., 15 (3), 253 (1960)
- А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, Михаленко. Тр. ФИАН СССР. 138, 79 (1983)
- Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, XLIII (6), 940 (1985)
- J.S. Prener, D.J. Weil. J. Electrochem. Soc., 103, 342 (1956)
- J.E. Nicholls, J.J. Davis, B.C. Cavenott. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 12, 370 (1979)
- J.S. Prener, F.E. Williams. J. Chem. Phys., 25, 361 (1956)
- Я.Е. Гегузин. Физика спекания (М., Наука, 1984)
- Г.Х. Гессингер. Порошковая металлургия жаропрочных сплавов (Челябинск, Металлургия, 1988). [Пер. с англ.: G.H. Gessinger. Powder metallurgy of superalloys (Baden, Switzerland: Butterworths, 1984)]
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
- Г.Б. Абдуллаев, Т.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980)
- Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975). [Пер. с англ.: Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (London--N. Y., Plenum Press, 1973)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук