Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неомическая прыжковая квазидвумерная проводимость и кинетика ее релаксации
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Исследованы неомические свойства квазидвумерного канала прыжковой проводимости, формируемого при помощи эффекта поля, в слоях p-Si в области пересечения уровня Ферми с примесной зоной. Установлено, что зависимость электропроводности sigma от продольного электрического поля E имеет пороговый характер и подчиняется закону: lnsigma(E) propto E1/2. Температурная и полевая зависимости проводимости квазидвумерного канала хорошо объясняются представлениями о нелинейном экранировании и неомических свойствах неупорядоченных систем со случайным кулоновским потенциалом. Данный механизм нелинейности подтверждается особенностями мезоскопических флуктуаций недиагольнальной компоненты сопротивления, отражающими перестройку перколяционного кластера под действием продольного поля. Обнаружены долговременные релаксации проводимости при переходе от неомического режима к омическому, свидетельствующие о проявлении данной системой свойств электронного стекла и существенном изменении токовых путей в сильном электрическом поле.
- Е.И. Левин, Б.И. Шкловский. ФТП, 18, 856 (1984)
- A.S. Vedeneev, A.G. Gaivoronskii, A.G. Zhdan, A. Modelli, V.V. Rylkov, Yu.Ya. Tkach. Appl. Phys. Lett., 64, 2566 (1994)
- А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан, А. Моделли, В.В. Рыльков, Ю.Я. Ткач. Письма ЖЭТФ, 60, 457 (1994)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электрические свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, A.S. Vedeneev, J. Leotin. Physica A, 241, 259 (1997); Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, В.В. Рыльков. ФТП, 31, 648 (1997)
- J.A. Chroboczek, F.H. Pollak, H.F. Staunton. Phil. Mag. B, 50, 113 (1984)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 44, 520 (1986)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Письма ЖЭТФ, 75, 191 (1978)
- Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 93 (1979)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Д.И. Аладашвили, З.А. Адамия, К.Г. Лавдовский, Е.И. Левин, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 213 (1989)
- Б.А. Аронзон, И.Л. Дричко. ФТП, 26, 1446 (1992)
- И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, И.Ю. Смирнов, А.И. Торопов. ФТП, 34, 436 (2000)
- А.О. Орлов, М.Э. Райх, И.М. Рузин, А.К. Савченко. ЖЭТФ, 96, 2172 (1989).
- В,В, Рыльков, Б.А. Аронзон, А.Б. Давыдов, Д.Ю. Ковалев, Е.З. Мейлихов. ЖЭТФ, 121, 908 (2002); B. Raquet, M. Goiran, N. Negre, J. Leotin, B. Aronzon, V. Rylkov, E. Meilikhov. Phys. Rev. B, 62, 17 144 (2000)
- S.D. Baranovskii, B.L. Gelmont, B.I. Shklovskii, A.L. Efros. J. Phys. C, 12, 1023 (1979); D. Menashe, O. Biham, B.D. Laikhtman, A.L. Efros. Phys. Rev. B, 64, 115 209 (2001)
- И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)
- А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон. ФТП, 38, 693 (2004)
- A. Vaknin, Z. Ovadyahu, M. Pollak. Phys. Rev. B, 65, 134 208 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
