Вышедшие номера
Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) к кинетическому
Мусихин Ю.Г.1, Цырлин Г.Э.1,2, Дубровский В.Г.1, Самсоненко Ю.Б.1,2, Тонких А.А.1,2, Берт Н.А.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования процессов формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) при докритической толщине осажденного InAs (1.5-1.6 монослоев). Показано, что в докритической области толщин (менее 1.6 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает с увеличением температуры и не зависит от скорости осаждения. В закритической области (более 1.8 монослоев InAs) плотность квантовых точек возрастает, а их размер убывает при уменьшении температуры и увеличении скорости осаждения. Наблюдаемый эффект связан с переходом от термодинамического режима формирования квантовых точек вблизи критической толщины к кинетическому.