Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Облучение ионами аргона диодов Шоттки на основе 4H-SiC
Российский научный фонд, 22-12-00003
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: anatoly.strelchuk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.
Исследовано влияние облучения ионами аргона с энергией 53 МэВ в диапазоне доз (1-7)·1010 см-2 на вольт-амперные характеристики диодов Шоттки Cr/SiC(4H) с уровнем легирования эпитаксиального слоя ~1014-3·1015 см-3. В характеристиках диодов как до облучения, так и после него обнаружены и обсуждаются эффекты, затрудняющие интерпретацию результатов, оценку радиационной стойкости диодов и подтверждающие влияние дефектов эпитаксиального слоя на характеристики диодов. Дана верхняя оценка величины пороговой дозы облучения D (~6·10^9 см-2) ионами Ar8+ с энергией 53 МэВ. Ключевые слова: SiC, диод Шоттки, облучение Ar8+, IV характеристики, шунты, дефекты.
- A.M. Strel'chuk, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Solov'ev, M.G. Rastegaeva. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., B 147, 74 (1999)
- А.М. Стрельчук, В.В. Козловский, А.А. Лебедев. ФТП, 52, 1651 (2018)
- Е.В. Калинина, М.Ф. Кудояров, И.П. Никитина, Е.В. Дементьева, В.В. Забродский. ФТП, 56, 254 (2022)
- А.М. Стрельчук, Е.В. Калинина. Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 16, 83 (2023). DOI: https://doi.org/10.18721/JPM.161.212
- D. Defives, O. Noblanc, С. Dua, С. Brylinski, M. Barthula, F. Meyer. Mater. Sci. Eng., B61-62, 395 (1999)
- D. Defives, O. Noblanc, С. Dua, С. Brylinski, M. Barthula, V. Aubry-Fortuna, F. Meyer. IEEE Trans. Electron Dev., 46, 449 (1999)
- M.L. Bolen, M.A. Capano. J. Electron. Mater., 38, 574 (2009)
- M. Nakamura,Y. Hashino, T. Furusho, H. Kinoshita, H. Shiomi, M. Yoshimoto. Mater. Sci. Forum, 600--603, 967 (2009)
- П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, А.В. Афанасьев, В.А. Ильин. ФТП, 47, 83 (2013)
- H. Ohyama, K. Takakura, T. Watanabe, K. Nishiyama, K. Shigaki, T. Kudou, M. Nakabayashi, S. Kuboyama, S. Matsuda, C. Kamezawa, E. Simoen, C. Claey. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 16, 455 (2005)
- L.Y. Liu, T.L. Shen, A. Liu, T. Zhang, S. Bai, S.R. Xu, P. Jin, Y. Hao, X.P. Ouyang. Diamond Relat. Mater., 88, 256 (2018)
- S. Ganiyev 1, M. Azim Khairi, D. Ahmad Fauzi, Y. Abdullah, N.F. Hasbullah. ФТП, 51, 1721 (2017)
- P. Hazdra, S. Popelka, A. Schoner. IEEE Trans. Electron Dev., 65, 4483 (2018)
- R.L. Gao, X. Du, W.Y. Ma, B. Sun, J.L. Ruan, X. Ouyang, H. Li, L. Chen, L.Y. Liu, X.P. Ouyang. Sensors Actuators A: Physical, 333, 113241 (2022).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
