Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Трансформация кольцевой зоны на основе алюминия при ее термомиграции в кремнии в направлении <100>
Министерство науки и высшего образования России , Государственное задания Южно-Российскому государственному политехническому университету (НПИ) им. М.И. Платова , FENN-2023-0005
Середин Б.М.
1, Попов В.П.
1, Малибашев А.В.
1, Степченко А.Д.
1
1Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия 
Email: seredinboris@gmail.com, popov-npi@yandex.ru, a_malib@mail.ru, Stepchenko.A.D@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 16 декабря 2024 г.
Непересекающиеся кольцевые зоны на основе алюминия позволяют формировать методом термомиграции в пластине кремния систему сквозных замкнутых эпитаксиальных каналов p-типа проводимости с высокой воспроизводимостью. Обычно используемая для этих целей сетка прямолинейных зон характеризуется разрывами в местах пересечений. Экспериментально выявлены особенности трансформации кольцевых зон на различных этапах миграции в кремнии в направлении <100>. Наблюдаемые изменения формы зон и эпитаксиальных каналов вызваны асимметрией фронта растворения жидкой зоны, связанной с особенностями огранки, обусловленной изгибом линейной зоны. При этом подавляется огранка на внутреннем контуре зоны и сохраняется на внешнем. Ключевые слова: термомиграция, градиент температуры, кремний.
- W.G. Pfann. Zone Melting (Wiley, N.Y., 1963)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1987)
- S. Pawar, K.P. Wang, A. Yeckel, J.J. Derby. Acta Mater., 228, 117780 (2022). https://doi.org/10.1016/j.actamat.2022.117780
- S.I. Garmashov. J. Cryst. Growth, 627, 127532 (2024). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127532
- O.S. Polukhin, V.V. Kravchina. Technol. Design Electron. Equipment, 1-2, 34 (2023). http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2023.1-2.34
- T.R. Anthony, J.K. Boah, M.F. Chang, H.E. Cline. IEEE Trans. Electron Dev., 23 (8), 818 (1976). DOI: 10.1109/T-ED.1976.18492
- B.M. Seredin, V.P. Popov, A.V. Malibashev, I.V. Gavrus, S.M. Loganchuk, S.Y. Martyushov. Silicon, 16, 3453 (2024). DOI: 10.1007/s12633-024-02921-0
- Б.М. Середин, В.П. Попов, А.В. Малибашев. Письма ЖТФ, 50 (7), 17 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.07.57463.19805
- Б.М. Середин, В.П. Попов, А.В. Малибашев, И.В. Гаврус, А.А. Скиданов. Патент РФ 2805459 (2023)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
