Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Посредник О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 7 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.
В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте 3C-SiC с политипами NH-SiC (N=2, 4, 6, 8). В рамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного состояния varepsilon0. Показано, что эффективно управлять положением уровня varepsilon0 можно только с помощью легирования широкозонного политипа n-NH-SiC мелкими донорами.
- A. Fissel. Phys. Reports, 379 (1), 149 (2003)
- А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (18), 89 (2002)
- А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
- A. Fissel, U. Kaizer, B. Schroter, W. Richter, F. Bechstedt. Appl. Surf. Sci., 184 (1), 37 (2001)
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- А.Н. Андреев, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, В.П. Растегаев, С.И. Дорожкин, В.Е. Челноков. ФТП, 29 (10), 1828 (1995)
- M.J. Bazack. Phys. Status Solidi B, 202 (2), 549 (1997)
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
- Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
- А.А. Лебедев. ФТП, 33 (7), 769 (1999)
- Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17 (10), 1757 (1983)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- Yu. Goldberg, M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev. In: Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinstein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (N. Y., J. Wiley and Sons, 2001)
- G.B. Dubrovskii, A.A. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. Status Solidi B, 57 (1), 423 (1973)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. Физика квантовых низкоразмерных систем (М., Логос, 2000)
- В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1992)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
