Предлагается методика определения значений диффузионных длин в диапазоне 0.5-50 мкм и соответственно минимальных величин времени жизни носителей заряда порядка наносекунд. Используется диодная структура в режиме обратного смещения. В область базы диода инжектируется калиброванный по величине неравновесный заряд. Инжекция осуществляется alpha-частицами естественного распада в режиме одиночного счета. Техникой ядерной спектрометрии измеряется величина заряда, продиффундировавшего в базе к границе области электрического поля. Проведен расчет возникающих в ходе диффузии потерь заряда в зависимости от длины проникновения трека частицы за область поля. Полученные функции имеют степенной характер и позволяют в свою очередь связать значения длины диффузии с величиной показателя степени и численного множителя, описывающего потери заряда. Эксперимент поставлен на слабо легированных эпитаксиальных пленках 4H-SiC.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.