Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние состояния водорода в решетке на эффективность введения донорных центров в кислородсодержащем кремнии

Болотов В.В.¹, Камаев Г.Н.², Носков А.В.¹, Черняев С.А.², Росликов В.Е.¹

¹Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 6 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования эффективности введения донорных центров в кислородсодержащем Si при термообработках при 450^oC после предварительной гидрогенизации в плазме водорода и облучения gamma-квантами ⁶⁰Co. Показано, что максимальная скорость введения донорных центров наблюдается в образцах, содержащих водород в атомарной форме. Облучение Si gamma-квантами ⁶⁰Co с предварительно гидрогенизированным в плазме водорода слоем приводит к высвобождению атомарного водорода из связанных состояний. Это повышает скорость введения донорных центров при последующих термообработках при 450^oC. PACS: 81.40.Ef, 81.40.-g, 61.80.Ed, 73.30.+y

W. Kaiser, H. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112, 1546 (1958)
В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Интерпрес ЛТД, 1997)
R.C. Newman. J. Phys.: Condens. Matter, 12, R335 (2000)
В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 34, 1039 (2000)
R. Murray. Physica B, 170, 115 (1991)
S.K. Estreicher. Phys. Rev. B, 41, 9886 (1990)
S.J. Pearton, J.W. Corbett, T.S. Shi. Appl. Phys., A43, 153 (1987)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
V.V. Bolotov, V.M. Emeksuzyan, G.L. Plotnikov. K. Schmalz. Phys. Status Solidi (a), 137, 67 (1993)
G.N. Kamaev, S.A. Chern'aev, V.V. Bolotov, M.D. Efremov. Sol. St. Phenomena, 82-- 84, 99 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель