Вышедшие номера
Устойчивость фотоотклика кристаллов Cd1-xZnxTe
Комарь В.К.1, Мигаль В.П.2, Сулима С.В.1, Фомин А.С.2
1НТК "Институт монокристаллов", Институт сцинтилляционных материалов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Разнообразие и характер распределения дефектов структуры, а также флуктуации состава обусловливают индивидуальность и неустойчивость фотоотклика I детекторов и спектрометров на основе Cd1-xZnxTe при интенсивных воздействиях или при экстремальных условиях эксплуатации. Показано, что они наиболее полно отражаются в дифференциальных спектральных характеристиках I(hnu) и построенных на их основе диаграммах dI/dnu=f(I). PACS: 72.40.+w, 77.22.Ch