Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства поверхности CuInS₂ и влияние на них органических слоев

Вербицкий А.Б.¹, Верцимаха Я.И.¹, Луцик П.Н.¹, Студзинский С.Л.¹, Березнев С.², Койс Ю.²

¹Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Departament of Materials Science, Tallinn University of Technology, Tallinn, Estonia

Поступила в редакцию: 6 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа посвящена изучению свойств поверхности CuInS₂ (CIS) и влияния на них тонких органических слоев. Исследованные слои CIS обладают фоточувствительностью в области 1.5-3.0 эВ. Квадратичная аппроксимация длинноволнового края спектральной зависимости фотоэдс дает значение ширины запрещенной зоны E_g=1.46±0.02 эВ. Показано, что основной вклад в формирование барьера у свободной поверхности CIS дают акцепторные уровни, расположеные на ~0.1 и ~0.2 эВ выше потолка валентной зоны CIS. При нанесении полимерного слоя на свободную поверхность CIS одновременно происходит небольшое уменьшение высоты потенциального барьера и увеличение эффективности переноса носителей заряда, а при нанесении на свободную поверхность CIS органического полупроводника p-типа происходит частичная нейтрализация центров захвата и уменьшение скорости рекомбинации носителей заряда у поверхности пленки CIS. PACS: 42.70.Fk, 78.66.Qn, 79.60.Fr

J. Klaer, J. Bruns, R. Henninger, K. Siemer, R. Klenk, K. Ellmer, D. Braunig. Semicond. Sci. Technol., 13, 1456 (1998)
L. Stolt, J. Hodstrom, J. Kessler, M. Ruch, K.-O. Velthaus, H.W. Schock. Appl. Phys. Lett., 62, 597 (1993)
I. Konovalov, R. Szargan. Appl. Phys. Lett., 82, 2088 (2003)
J. Penndorf, M. Winkler, O. Tober, D. Roeser, K. Jacobs. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 53, 285 (1998)
S. Bereznev, I. Konovalov, J. Kois, E. Mellikov, A. Opik. Proc. Research Society Symposium "Organic and Polymeric Materials and Devives", v. 771, 243 (2003)
J. Kois, S. Bereznev, J. Raudoja, E. Mellikov, A. Opik. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, in press (doi:10.1016/j.solmat.2004.07.044)
И.А. Акимов. Опт.-мех. пром-ть, 5, 4 (1966)
A.M. Martinez, L.G. Arriaga, A.M. Fernandez, U. Cano. Mater. Chem. Phys., 88, 417 (2004)
Н.Л. Дмитрук, Ю.В. Крюченко, В.Г. Литовченко, В.Г. Попов. Поверхность. Физика, химия, механика, 5, 56 (1986)
Н.Л. Дмитрук, В.А. Зуев, Ю.В. Крюченко, М.А. Степанова. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 23, 78 (1992)
B.R. Sankapal, A. Ennaoui, Th. Dittich, W. Bohne, M.Ch. Lux-Steiner. Proc. E-MRS Spring Meeting, Symposium "Thin film chalcogenide photovoltaic materials" (Strasbourg, France, 2004) p. 6
J. Wienke, V. Groen-Smit, M. Burgelman, S. Degrave, J. Penndorf. Thin Sol. Films, 387, 165 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель