Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением

Володин В.А.¹, Якимов А.И.¹, Двуреченский А.В.¹, Ефремов М.Д.¹, Никифоров А.И.¹, Гацкевич Е.И.², Ивлев Г.Д.², Михалёв Г.Ю.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 6 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек Ge_xSi_1-x анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследован энергетический спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge_xSi_1-x до и после импульсного лазерного воздействия. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что лазерная обработка позволяет уменьшить слоевую плотность квантовых точек, изменить их состав и увеличить средний размер. Наиболее важным результатом является обнаруженный эффект увеличения однородности параметров квантовых точек в результате наносекундного лазерного воздействия. Так, обработка образца со средним латеральным размером квантовых точек 8 нм (6 монослоев Ge) десятью лазерными импульсами приводит к двукратному уменьшению дисперсии энергетических уровней дырок в массиве квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 66.10.Cb, 81.15.Hi

О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский. ФТП, 34, 1281 (2000)
В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. ФТП, 37, 1352 (2003)
A.V. Kolobov. J. Appl. Phys., 87, 2926 (2000)
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Письма ЖЭТФ, 80, 367 (2004)
G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich, D.N. Sharaev. Proc. SPIE, 4157, 78 (2001).
Г.Д. Ивлев. Письма ЖТФ, 22, 86 (1996)
G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich. Appl. Surf. Sci., 143, 265 (1999)
J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 8098 (1994)
P.H. Tan, K. Brunner, D. Bougeard, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 68, 125 302 (2003)
J. Groenen, R. Carles et al. Appl. Phys. Lett., 71, 3856 (1997)
E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitsky, V.A. Shvets, S.I. Chikichev, A.S. Mardezhov, N.I. Nazarov, V.A. Volodin. Thin Sol. Films, 455--456, 700 (2004)
W.-H. Chang, W.Y. Chen, M.C. Cheng et al. Phys. Rev. B, 64, 125 315 (2001)
P.N. Brunkov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov et al. J. Electron. Mater., 28, 486 (1999)
П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов. ФТП, 30, 924 (1996)
A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology, 13, 75 (2002)
O. Engstrom, M. Malmkvist, Y. Fu, H.O. Olafsson, E.O. Sveinbjornsson. Appl. Phys. Lett., 83, 3578 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель